Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 166 A 100 V N, 7 Ben, TO-263, iPB

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*

Kr. 13.155,00

(ekskl. moms)

Kr. 16.444,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
1000 +Kr. 13,155Kr. 13.155,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
258-3790
Producentens varenummer:
IPB032N10N5ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

166A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

TO-263

Serie

iPB

Monteringstype

Overflade

Benantal

7

Drain source modstand maks. Rds

3.2mΩ

Kanalform

N

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

0.9V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

76nC

Effektafsættelse maks. Pd

187W

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

IEC 61249-2-21, RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Infineon OptiMOS 5 100 V effekt-MOSFET er specielt designet til synkron ensretning i telekommunikationsblokke inklusive Or-ing, hot-swap og batteribeskyttelse samt til server strømforsyningsanvendelser. Enheden har en lavere RDS(on) på 22 % sammenlignet med lignende enheder. Et af de største bidrag til denne brancheførende FOM er den lave modstand i tændt tilstand, der giver det højeste niveau af effekttæthed og effektivitet.

Reduktion af skifte- og ledningstab

Færre paralleller er påkrævet

Øget effekttæthed

Lavspændingsoverskridelse

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.