Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 166 A 100 V N, 7 Ben, TO-263, iPB
- RS-varenummer:
- 258-3791
- Producentens varenummer:
- IPB032N10N5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 33,21
(ekskl. moms)
Kr. 41,51
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 1.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 33,21 |
| 10 - 24 | Kr. 31,57 |
| 25 - 49 | Kr. 30,89 |
| 50 - 99 | Kr. 28,87 |
| 100 + | Kr. 26,55 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 258-3791
- Producentens varenummer:
- IPB032N10N5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 166A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | iPB | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3.2mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 187W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 76nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 166A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie iPB | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3.2mΩ | ||
Kanalform N | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 187W | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 76nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon OptiMOS 5 100 V effekt-MOSFET er specielt designet til synkron ensretning i telekommunikationsblokke inklusive Or-ing, hot-swap og batteribeskyttelse samt til server strømforsyningsanvendelser. Enheden har en lavere RDS(on) på 22 % sammenlignet med lignende enheder. Et af de største bidrag til denne brancheførende FOM er den lave modstand i tændt tilstand, der giver det højeste niveau af effekttæthed og effektivitet.
Reduktion af skifte- og ledningstab
Færre paralleller er påkrævet
Øget effekttæthed
Lavspændingsoverskridelse
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 166 A 100 V N TO-263, iPB
- Infineon Type N-Kanal 166 A 80 V N TO-263, iPB
- Infineon Type N-Kanal 72 A 220 V N iPB
- Infineon Type N-Kanal 100 A 60 V N iPB
- Infineon Type N-Kanal 22.4 A 700 V N iPB
- Infineon Type N-Kanal 180 A 60 V N iPB
- Infineon Type N-Kanal 211 A 650 V N iPB
- Infineon Type N-Kanal 94 A 80 V N iPB