Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 166 A 100 V N, 7 Ben, TO-263, iPB Nej IPB032N10N5ATMA1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 27,35

(ekskl. moms)

Kr. 34,19

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 27,35
10 - 24Kr. 26,03
25 - 49Kr. 25,36
50 - 99Kr. 23,79
100 +Kr. 21,92

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
258-3791
Producentens varenummer:
IPB032N10N5ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

166A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

TO-263

Serie

iPB

Monteringstype

Overflade

Benantal

7

Drain source modstand maks. Rds

3.2mΩ

Kanalform

N

Gennemgangsspænding Vf

0.9V

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

187W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

76nC

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

IEC 61249-2-21, RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Infineon OptiMOS 5 100 V effekt-MOSFET er specielt designet til synkron ensretning i telekommunikationsblokke inklusive Or-ing, hot-swap og batteribeskyttelse samt til server strømforsyningsanvendelser. Enheden har en lavere RDS(on) på 22 % sammenlignet med lignende enheder. Et af de største bidrag til denne brancheførende FOM er den lave modstand i tændt tilstand, der giver det højeste niveau af effekttæthed og effektivitet.

Reduktion af skifte- og ledningstab

Færre paralleller er påkrævet

Øget effekttæthed

Lavspændingsoverskridelse

Relaterede links