Infineon N-Kanal, MOSFET, 166 A 80 V N, 3 Ben, TO-263, iPB
- RS-varenummer:
- 258-3789
- Producentens varenummer:
- IPB024N08N5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 258-3789
- Producentens varenummer:
- IPB024N08N5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 166A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | iPB | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.4mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 99nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 920mV | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 214W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 166A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie iPB | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.4mΩ | ||
Kanalform N | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 99nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 920mV | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 214W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon OptiMOS 5 80 V industriel effekt MOSFET giver en RDS(on) reduktion på 43 % sammenlignet med tidligere generationer og er velegnet til høje switching-frekvenser. Enhederne i denne serie er specielt designet til synkron ensretning i telekommunikations- og serverstrømforsyninger. Desuden kan de også udnyttes i andre industrielle anvendelser som f.eks. solcelleanlæg, lavspændingsdrev og adaptere.
Optimeret til synkron ensretning
Velegnet til høj skiftefrekvens
Færre paralleller er påkrævet
Øget effekttæthed