Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 166 A 80 V N, 3 Ben, TO-263, iPB Nej IPB024N08N5ATMA1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 19,75

(ekskl. moms)

Kr. 24,69

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 19,75
10 - 24Kr. 18,18
25 - 49Kr. 16,98
50 - 99Kr. 15,71
100 +Kr. 14,59

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
258-3789
Producentens varenummer:
IPB024N08N5ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

166A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Emballagetype

TO-263

Serie

iPB

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

2.4mΩ

Kanalform

N

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

214W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

99nC

Gennemgangsspænding Vf

0.92V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Infineon OptiMOS 5 80 V industriel effekt MOSFET giver en RDS(on) reduktion på 43 % sammenlignet med tidligere generationer og er velegnet til høje switching-frekvenser. Enhederne i denne serie er specielt designet til synkron ensretning i telekommunikations- og serverstrømforsyninger. Desuden kan de også udnyttes i andre industrielle anvendelser som f.eks. solcelleanlæg, lavspændingsdrev og adaptere.

Optimeret til synkron ensretning

Velegnet til høj skiftefrekvens

Færre paralleller er påkrævet

Øget effekttæthed

Relaterede links