Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 35 A 120 V Forbedring, 3 Ben, PG-TO-252, IPD AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 258-3840
- Producentens varenummer:
- IPD35N12S3L24ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 49,82
(ekskl. moms)
Kr. 62,275
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 4.925 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 9,964 | Kr. 49,82 |
| 50 - 120 | Kr. 8,168 | Kr. 40,84 |
| 125 - 245 | Kr. 7,66 | Kr. 38,30 |
| 250 - 495 | Kr. 7,076 | Kr. 35,38 |
| 500 + | Kr. 6,568 | Kr. 32,84 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 258-3840
- Producentens varenummer:
- IPD35N12S3L24ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 35A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 120V | |
| Serie | IPD | |
| Emballagetype | PG-TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 24mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 30nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 71W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 35A | ||
Drain source spænding maks. Vds 120V | ||
Serie IPD | ||
Emballagetype PG-TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 24mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 30nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 71W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS-T effekttransistor er en effekt MOSFET til brug i biler. Den har en driftstemperatur på 175 °C.
N-kanal - forbedringstilstand
AEC Q101-kvalificeret til brug i biler
MSL1 op til 260 °C spidsreflow
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 35 A 120 V Forbedring PG-TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal -50 A -30 V Forbedring IPD AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal -80 A -30 V Forbedring PG-TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal -85 A -40 V Forbedring IPD AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 60 A 100 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal -50 A -40 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal -90 A -40 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal -73 A -40 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101