Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 35 A 120 V Forbedring, 3 Ben, PG-TO-252, IPD AEC-Q101 IPD35N12S3L24ATMA1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 54,55

(ekskl. moms)

Kr. 68,20

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 9.925 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 10,91Kr. 54,55
50 - 120Kr. 8,932Kr. 44,66
125 - 245Kr. 8,392Kr. 41,96
250 - 495Kr. 7,75Kr. 38,75
500 +Kr. 7,196Kr. 35,98

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
258-3840
Producentens varenummer:
IPD35N12S3L24ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

35A

Drain source spænding maks. Vds

120V

Emballagetype

PG-TO-252

Serie

IPD

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

24mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1V

Effektafsættelse maks. Pd

71W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

30nC

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon OptiMOS-T effekttransistor er en effekt MOSFET til brug i biler. Den har en driftstemperatur på 175 °C.

N-kanal - forbedringstilstand

AEC Q101-kvalificeret til brug i biler

MSL1 op til 260 °C spidsreflow

Relaterede links