Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 35 A 120 V Forbedring, 3 Ben, PG-TO-252, IPD AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 82,13

(ekskl. moms)

Kr. 102,66

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 4.925 enhed(er) afsendes fra 23. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 16,426Kr. 82,13
50 - 120Kr. 13,464Kr. 67,32
125 - 245Kr. 12,642Kr. 63,21
250 - 495Kr. 11,668Kr. 58,34
500 +Kr. 10,832Kr. 54,16

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
258-3840
Producentens varenummer:
IPD35N12S3L24ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

35A

Drain source spænding maks. Vds

120V

Serie

IPD

Emballagetype

PG-TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

24mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

30nC

Gennemgangsspænding Vf

1V

Effektafsættelse maks. Pd

71W

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon OptiMOS-T effekttransistor er en effekt MOSFET til brug i biler. Den har en driftstemperatur på 175 °C.

N-kanal - forbedringstilstand

AEC Q101-kvalificeret til brug i biler

MSL1 op til 260 °C spidsreflow

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.