Infineon N-Kanal, MOSFET, 6 A 800 V Forbedring, 3 Ben, PG-TO220-3, CoolMOS^TM
- RS-varenummer:
- 259-1575
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-34-463
- Producentens varenummer:
- SPP06N80C3XKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 78,54
(ekskl. moms)
Kr. 98,18
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 210 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 15,708 | Kr. 78,54 |
| 25 - 45 | Kr. 14,152 | Kr. 70,76 |
| 50 - 120 | Kr. 12,552 | Kr. 62,76 |
| 125 - 245 | Kr. 11,788 | Kr. 58,94 |
| 250 + | Kr. 8,962 | Kr. 44,81 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 259-1575
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-34-463
- Producentens varenummer:
- SPP06N80C3XKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 800V | |
| Serie | CoolMOS^TM | |
| Emballagetype | PG-TO220-3 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.9Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 31nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 83W | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | JEDEC1, RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 800V | ||
Serie CoolMOS^TM | ||
Emballagetype PG-TO220-3 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.9Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 31nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 83W | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser JEDEC1, RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineons coolmostm effekttransistor er skifteanvendelse. Det er industriel anvendelse med høj DC bulkspænding. Den er kvalificeret i overensstemmelse med JEDEC1 til målapplikationer.
Ekstrem dv/dt mærkeværdi
Høj spidsstrømkapacitet
Meget lav gate-opladning
Meget lave effektive kapaciteter
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 6 A 800 V Forbedring PG-TO220-3, CoolMOS^TM
- Infineon N-Kanal 54.9 A 800 V PG-TO-247, CoolMOS^TM
- Infineon N-Kanal 6 A 800 V Forbedring TO-220, CoolMOS C3
- Infineon N-Kanal 8 A 800 V PG-TO220-3, CoolMOSTM 800V
- Infineon N-Kanal 36.23 A 700 V Forbedring PG-TO220-3, IPP
- Infineon N-Kanal 100 A 100 V Forbedring PG-TO220-3, OptiMOSa5
- Infineon N-Kanal 70 A 600 V Forbedring PG-TO220-3, IPP
- Infineon N-Kanal 135 A 600 V Forbedring PG-TO220-3, IPP