Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 35 A 150 V, 7 Ben, DirectFET, HEXFET
- RS-varenummer:
- 260-5939
- Producentens varenummer:
- IRF6643TRPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 24,76
(ekskl. moms)
Kr. 30,96
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 4.478 enhed(er) afsendes fra 16. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 12,38 | Kr. 24,76 |
| 20 - 48 | Kr. 11,255 | Kr. 22,51 |
| 50 - 98 | Kr. 10,545 | Kr. 21,09 |
| 100 - 198 | Kr. 9,80 | Kr. 19,60 |
| 200 + | Kr. 8,04 | Kr. 16,08 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 260-5939
- Producentens varenummer:
- IRF6643TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 35A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 150V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | DirectFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 35A | ||
Drain source spænding maks. Vds 150V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype DirectFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon Digital Audio MOSFET er specielt designet til Class-D audioforstærkeranvendelser. Denne MOSFET udnytter de nyeste behandlingsteknikker til at opnå lav modstand ved tændt pr. siliciumareal. Desuden er gate-ladning, hus-diode omvendt genopretning og intern gate-modstand optimeret til at forbedre vigtige Class-D audioforstærker-ydeevnefaktorer som f.eks. effektivitet, THD og EMI.
Den nyeste MOSFET siliciumteknologi
Kompatibel med dobbeltsidet køling
Kompatibel med eksisterende overflademonterede teknologier
Blyfri
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 35 A 150 V DirectFET, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 18 A 150 V Forbedring DirectFET, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 28 A 150 V DirectFET, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 67 A 150 V DirectFET, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 150 A 20 V Forbedring DirectFET, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 375 A 60 V Forbedring DirectFET HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 19 A 200 V Forbedring DirectFET, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 55 A 80 V Forbedring DirectFET, HEXFET
