Renesas Electronics Type P-Kanal, MOSFET, 100 A 60 V P, 4 Ben, MP-25ZP (TO-263), NP100P06PDG AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 264-1238
- Producentens varenummer:
- NP100P06PDG-E1-AY
- Brand:
- Renesas Electronics
Indhold (1 rør af 800 enheder)*
Kr. 19.516,00
(ekskl. moms)
Kr. 24.395,20
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 01. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 800 + | Kr. 24,395 | Kr. 19.516,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 264-1238
- Producentens varenummer:
- NP100P06PDG-E1-AY
- Brand:
- Renesas Electronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Renesas Electronics | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 100A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | NP100P06PDG | |
| Emballagetype | MP-25ZP (TO-263) | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 5.1mΩ | |
| Kanalform | P | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 300nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 200W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Renesas Electronics | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 100A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie NP100P06PDG | ||
Emballagetype MP-25ZP (TO-263) | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 5.1mΩ | ||
Kanalform P | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 300nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 200W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Renesas Electronics giver en lavspændingsstrøm med P-kanal type MOS Field Effect transistor, der er designet til højstrøms-switching-anvendelser. Den består af en 100 A maksimal afløbsstrøm.
Maksimal drain-kildespænding er 60 V
Monteringstype er til overflademontering
Relaterede links
- Renesas Electronics Type P-Kanal 100 A 60 V P MP-25ZP (TO-263), NP100P06PDG AEC-Q101 NP100P06PDG-E1-AY
- Renesas Electronics P-Kanal 15 A 60 V TO-252 NP15P06SLG-E1-AY
- Infineon Type P-Kanal 80 A 40 V Forbedring TO-263, OptiMOS P AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 80 A 40 V Forbedring TO-263, OptiMOS P AEC-Q101 IPB80P04P407ATMA1
- Infineon Type P-Kanal -42 A -55 V HEXFET AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal -42 A -55 V HEXFET AEC-Q101 AUIRF4905STRL
- Infineon Type P-Kanal 80 A 40 V Forbedring iPB AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 17 A 800 V Forbedring iPB AEC-Q101
