Renesas Electronics Type P-Kanal, MOSFET, 100 A 60 V P, 4 Ben, MP-25ZP (TO-263), NP100P06PDG AEC-Q101 NP100P06PDG-E1-AY
- RS-varenummer:
- 264-1239
- Producentens varenummer:
- NP100P06PDG-E1-AY
- Brand:
- Renesas Electronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 74,19
(ekskl. moms)
Kr. 92,738
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 106 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | Kr. 37,095 | Kr. 74,19 |
| 10 - 48 | Kr. 33,475 | Kr. 66,95 |
| 50 - 98 | Kr. 32,76 | Kr. 65,52 |
| 100 - 248 | Kr. 27,375 | Kr. 54,75 |
| 250 + | Kr. 26,815 | Kr. 53,63 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 264-1239
- Producentens varenummer:
- NP100P06PDG-E1-AY
- Brand:
- Renesas Electronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Renesas Electronics | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 100A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | NP100P06PDG | |
| Emballagetype | MP-25ZP (TO-263) | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 5.1mΩ | |
| Kanalform | P | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 200W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 300nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Renesas Electronics | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 100A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie NP100P06PDG | ||
Emballagetype MP-25ZP (TO-263) | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 5.1mΩ | ||
Kanalform P | ||
Effektafsættelse maks. Pd 200W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 300nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Renesas Electronics giver en lavspændingsstrøm med P-kanal type MOS Field Effect transistor, der er designet til højstrøms-switching-anvendelser. Den består af en 100 A maksimal afløbsstrøm.
Maksimal drain-kildespænding er 60 V
Monteringstype er til overflademontering
Relaterede links
- Renesas Electronics Type P-Kanal 100 A 60 V P MP-25ZP (TO-263), NP100P06PDG AEC-Q101
- Renesas Electronics P-Kanal 15 A 60 V TO-252 NP15P06SLG-E1-AY
- Renesas Electronics Adapter R0E000010CKZ11 til brug med E1 emulator
- Renesas Electronics Adapter R0E000010CKZ00 til brug med E1 emulator
- Renesas Electronics Adapter R0E000010ACB00 til brug med E1 emulator
- onsemi Type P-Kanal 263 A 30 V P SO-8, NTK Nej
- Infineon Type P-Kanal 6.5 A 600 V P TO-263, IPA Nej
- onsemi Type P-Kanal 263 A 30 V P SO-8, NTK Nej NTMFS002P03P8ZT1G