STMicroelectronics, MOSFET, 15 A 750 V Forbedring, 4 Ben, Rulle, G-HEMT
- RS-varenummer:
- 265-1034
- Producentens varenummer:
- SGT120R65AL
- Brand:
- STMicroelectronics
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 31.224,00
(ekskl. moms)
Kr. 39.030,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 11. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 10,408 | Kr. 31.224,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 265-1034
- Producentens varenummer:
- SGT120R65AL
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 15A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 750V | |
| Emballagetype | Rulle | |
| Serie | G-HEMT | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 15A | ||
Drain source spænding maks. Vds 750V | ||
Emballagetype Rulle | ||
Serie G-HEMT | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics e-mode PowerGaN-transistor er kombineret med en veletableret emballageteknologi. Den resulterende G-HEMT-enhed giver ekstremt lave ledningstab, høj strømkapacitet og ultrahurtig skiftefunktion for at muliggøre høj effekttæthed og uovertruffen effektivitet.
Forbedringstilstand normalt fra transistor
Meget høj skiftehastighed
Høj effektstyringskapacitet
Ekstremt lave kapaciteter
Kelvin-kildepude for optimal gate-drift
Nul omvendt genopretningsopladning
Relaterede links
- STMicroelectronics 15 A 750 V Forbedring Rulle, G-HEMT
- STMicroelectronics Type N-Kanal 10 A 800 V Forbedring, Tape og rulle
- STMicroelectronics Type N-Kanal 30 A 750 V Forbedring HU3PAK, SCT060HU
- STMicroelectronics Type N-Kanal 30 A 650 V Forbedring Tape og rulle
- STMicroelectronics Type N-Kanal 10 A 800 V Forbedring Tape og rulle
- STMicroelectronics Type N-Kanal 7 A 1200 V Forbedring Tape og rulle
- STMicroelectronics Type N-Kanal 30 A 750 V Forbedring HU3PAK, SCT060HU Nej SCT060HU75G3AG
- STMicroelectronics Demonstrationstavle til MASTERGAN1 Half-bridge driver til MASTERGAN1GaN HEMT til MASTERGAN1
