STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 30 A 650 V Forbedring, 7 Ben, Tape og rulle Nej

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rulle af 600 enheder)*

Kr. 44.496,60

(ekskl. moms)

Kr. 55.620,60

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 04. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
600 - 600Kr. 74,161Kr. 44.496,60
1200 +Kr. 72,307Kr. 43.384,20

*Vejledende pris

RS-varenummer:
261-5041
Producentens varenummer:
SCT055HU65G3AG
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

30A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

Tape og rulle

Monteringstype

Overflade

Benantal

7

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

29nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

22 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

3.5mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

18.58mm

Bredde

14 mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
MA

Siliciumkarbid effekt MOSFET i bilkvalitet 650 V, 58 mOhm typisk, 30 A i et HU3PAK hus


STMicroelectronics siliciumkarbid effekt-MOSFET-enhed er udviklet ved hjælp af ST's avancerede og innovative 3. generations SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet kombineret med lave kapaciteter og meget høje koblingsfunktioner, som forbedrer anvendelsesydelse med hensyn til frekvens, energieffektivitet, systemstørrelse og vægtreduktion.

AEC-Q101-kvalificeret

Meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet

Højhastigheds-switching-ydeevne

Meget hurtig og robust diode med eget hus

Kilde-registreringsben for øget effektivitet

Relaterede links