STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 30 A 750 V Forbedring, 7 Ben, HU3PAK, SCT060HU Nej SCT060HU75G3AG

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 600 enheder)*

Kr. 57.268,20

(ekskl. moms)

Kr. 71.585,40

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 3.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
600 +Kr. 95,447Kr. 57.268,20

*Vejledende pris

RS-varenummer:
152-109
Producentens varenummer:
SCT060HU75G3AG
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

30A

Drain source spænding maks. Vds

750V

Emballagetype

HU3PAK

Serie

SCT060HU

Monteringstype

Overflade

Benantal

7

Drain source modstand maks. Rds

58mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

±18 V

Gennemgangsspænding Vf

3V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

29nC

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

3.6mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Bredde

19 mm

Længde

14.1mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
JP
STMicroelectronics siliciumkarbid Power MOSFET-enhed er udviklet ved hjælp af ST's avancerede og innovative 3. generation SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet kombineret med lave kapaciteter og meget høje koblingsfunktioner, som forbedrer anvendelsesydelse med hensyn til frekvens, energieffektivitet, systemstørrelse og vægtreduktion.

AEC-Q101 kvalificeret

Høj hastighed ved skift

Meget hurtig og robust intrinsic body diode

Source sensing pin for øget effektivitet

Relaterede links