STMicroelectronics N-kanal Type N-Kanal, MOSFET, 54 A 600 V Forbedring, 7 Ben, HU3PAK, STHU60 AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 66,31

(ekskl. moms)

Kr. 82,89

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 300 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 66,31
10 - 49Kr. 53,71
50 - 99Kr. 41,12
100 +Kr. 36,48

*Vejledende pris

RS-varenummer:
481-132
Producentens varenummer:
STHU60N046DM9AG
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

54A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Serie

STHU60

Emballagetype

HU3PAK

Monteringstype

Overflade

Benantal

7

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Transistorkonfiguration

N-kanal

Standarder/godkendelser

AEC-Q101

Bredde

14.1 mm

Længde

11.9mm

Højde

3.6mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
JP
STMicroelectronics N-Kanal Power MOSFET er baseret på den avancerede super-junction MDmesh DM9-teknologi, der er designet til mellem- og højspændingsapplikationer. Den har meget lav RDS(on) pr. område og en integreret diode til hurtig gendannelse. DM9-teknologien bruger en multi-drain-produktionsproces til at forbedre enhedens struktur og ydeevne. Med lav gendannelsesladning (Qrr), hurtig gendannelsestid (trr) og lav RDS(on) er denne hurtigt skiftende MOSFET ideel til højeffektive brotopologier og ZVS-faseforskydningskonvertere.

Lav gate-ladning og modstand

100% lavine testet

Ekstremt høj dv/dt-robusthed

Fremragende skifteydelse takket være den ekstra drivkildestift

AEC-Q101 kvalificeret

Relaterede links