STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 30 A 750 V Forbedring, 7 Ben, HU3PAK, SCT060HU Nej SCT060HU75G3AG

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 bånd af 1 enhed)*

Kr. 83,18

(ekskl. moms)

Kr. 103,98

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 3.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Bånd
Pr bånd
1 - 9Kr. 83,18
10 - 99Kr. 74,87
100 +Kr. 69,12

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
152-111
Producentens varenummer:
SCT060HU75G3AG
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

30A

Drain source spænding maks. Vds

750V

Emballagetype

HU3PAK

Serie

SCT060HU

Monteringstype

Overflade

Benantal

7

Drain source modstand maks. Rds

58mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

29nC

Gennemgangsspænding Vf

3V

Portkildespænding maks.

±18 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Højde

3.6mm

Bredde

19 mm

Længde

14.1mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
JP
STMicroelectronics siliciumkarbid Power MOSFET-enhed er udviklet ved hjælp af ST's avancerede og innovative 3. generation SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet kombineret med lave kapaciteter og meget høje koblingsfunktioner, som forbedrer anvendelsesydelse med hensyn til frekvens, energieffektivitet, systemstørrelse og vægtreduktion.

AEC-Q101 kvalificeret

Høj hastighed ved skift

Meget hurtig og robust intrinsic body diode

Source sensing pin for øget effektivitet

Relaterede links