Vishay 4 Dual N-Kanal, MOSFET, 8 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SI9634DY Nej SI9634DY-T1-GE3
- RS-varenummer:
- 268-8282
- Producentens varenummer:
- SI9634DY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 6.975,00
(ekskl. moms)
Kr. 8.718,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 3.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 2,325 | Kr. 6.975,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 268-8282
- Producentens varenummer:
- SI9634DY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Dual N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | SI9634DY | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 60 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, AEC-Q101, 100 percent Rg and UIS tested | |
| Antal elementer per chip | 4 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Dual N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie SI9634DY | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 60 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS, AEC-Q101, 100 percent Rg and UIS tested | ||
Antal elementer per chip 4 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay dobbelt N-kanal TrenchFET 4 generation strøm MOSFET, der er fuldt bly pb og halogenfri enhed. Den er optimeret, og forholdet reducerer koblingsrelateret effekttab, og den bruges i anvendelser som f.eks. synkron ensretning, motordrev
I overensstemmelse med ROHS
UIS-testet 100 procent
Relaterede links
- Vishay 4 Dual N-Kanal 8 A 60 V Forbedring SO-8, SI9634DY Nej SI9634DY-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 60 A 60 V Forbedring PowerPAK SO-8, Si7164DP Nej SI7164DP-T1-GE3
- Vishay Type N MOSFET 8 Ben, SO-8 Nej SI4534DY-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 60 A 100 V Forbedring SO-8, SiR870ADP Nej SIR870ADP-T1-GE3
- Vishay Type P-Kanal 65.7 A 60 V Forbedring PowerPAK SO-8 AEC-Q101 SIR1309DP-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 39.3 A 60 V Forbedring SO-8, SiJ462ADP Nej SiJ462ADP-T1-GE3
- Vishay 4 Dual N-Kanal 6 A 60 V Forbedring PowerPAK 1212-8, SIS9634LDN Nej SIS9634LDN-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 60 A 60 V Forbedring PowerPAK SO-8, Si7164DP Nej