Vishay 2 N-Kanal, MOSFET, 34 A 40 V Forbedring, 8 Ben, 1212-8, SIS9446DN
- RS-varenummer:
- 279-9976
- Producentens varenummer:
- SIS9446DN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 12.966,00
(ekskl. moms)
Kr. 16.206,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 6.000 enhed(er) afsendes fra 03. september 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 4,322 | Kr. 12.966,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 279-9976
- Producentens varenummer:
- SIS9446DN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 34A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | 1212-8 | |
| Serie | SIS9446DN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 40V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | 100 percent Rg and UIS tested, AEC-Q101, RoHS | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 34A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype 1212-8 | ||
Serie SIS9446DN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 40V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser 100 percent Rg and UIS tested, AEC-Q101, RoHS | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay MOSFET er en dobbelt N-kanal MOSFET, og transistoren i den er fremstillet af materiale kendt som silicium.
TrenchFET effekt MOSFET
100 procent Rg og UIS testet
Reducerer koblingsrelateret effekttab
Fuldt blyfri (Pb)-enhed
Relaterede links
- Vishay 2 N-Kanal 34 A 40 V Forbedring 1212-8, SIS9446DN
- Vishay N-Kanal 8 A 60 V Forbedring 1212-8, SIS
- Vishay N-Kanal 36 A 40 V Forbedring 1212-8, SISS
- Vishay N-Kanal 8.8 A 100 V Forbedring PowerPAK 1212-8, SIS
- Vishay N-Kanal 185.6 A 30 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 55.9 A 100 V Forbedring 1212-8S, SISS
- Vishay N-Kanal 66.6 A 80 V Forbedring 1212-8S, SISS
- Vishay N-Kanal 33.8 A 150 V Forbedring PowerPAK 1212-8S
