Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 185.6 A 30 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET Nej SiSS54DN-T1-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 66,57

(ekskl. moms)

Kr. 83,21

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 5.975 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 13,314Kr. 66,57
50 - 120Kr. 11,968Kr. 59,84
125 - 245Kr. 9,59Kr. 47,95
250 - 495Kr. 8,646Kr. 43,23
500 +Kr. 7,18Kr. 35,90

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
228-2933
Producentens varenummer:
SiSS54DN-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

185.6A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

PowerPAK 1212

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

1.06mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

65.7W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

47.5nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

16 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Vishay N-kanal 30-V (D-S) MOSFET.

100 % Rg og UIS-testet

Relaterede links