Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 185.6 A 30 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 228-2933
- Producentens varenummer:
- SiSS54DN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 83,03
(ekskl. moms)
Kr. 103,79
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 5.755 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 16,606 | Kr. 83,03 |
| 50 - 120 | Kr. 14,96 | Kr. 74,80 |
| 125 - 245 | Kr. 11,954 | Kr. 59,77 |
| 250 - 495 | Kr. 10,786 | Kr. 53,93 |
| 500 + | Kr. 8,976 | Kr. 44,88 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 228-2933
- Producentens varenummer:
- SiSS54DN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 185.6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Emballagetype | PowerPAK 1212 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.06mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 65.7W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 47.5nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 185.6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie TrenchFET | ||
Emballagetype PowerPAK 1212 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.06mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 65.7W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 47.5nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay N-kanal 30-V (D-S) MOSFET.
100 % Rg og UIS-testet
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 185.6 A 30 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 30 A 30 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 40 A 30 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay N-kanal-Kanal 85 A 12 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 45.3 A 70 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 65 A 40 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 20 A 100 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 42.3 A 70 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET