Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 34.4 A 30 V Forbedring, 8 Ben, 1212-8, SISH
- RS-varenummer:
- 279-9983
- Producentens varenummer:
- SISH107DN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 6.732,00
(ekskl. moms)
Kr. 8.415,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 3.000 enhed(er) afsendes fra 03. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 2,244 | Kr. 6.732,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 279-9983
- Producentens varenummer:
- SISH107DN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 34.4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | 1212-8 | |
| Serie | SISH | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.014Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 41nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 26.5W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 3.3mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 34.4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype 1212-8 | ||
Serie SISH | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.014Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 41nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 26.5W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 3.3mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay MOSFET er en P-kanal MOSFET, og transistoren i den er fremstillet af materiale kendt som silicium.
TrenchFET effekt MOSFET
100 procent Rg og UIS testet
Fuldt blyfri (Pb)-enhed
Relaterede links
- Vishay Type P-Kanal 34.4 A 30 V Forbedring 1212-8, SISH
- Vishay Type P-Kanal 54 A 30 V Forbedring 1212-8, SISH
- Vishay Type P-Kanal 5.7 A 60 V Forbedring PowerPAK 1212-8
- Vishay Type P-Kanal 35 A 20 V Forbedring PowerPAK 1212-8, Si7615ADN
- Vishay 1 Type P MOSFET 8 Ben Si7129DN
- Vishay Type P-Kanal 59.2 A 40 V Forbedring 1212-8S, SISS
- Vishay Type P-Kanal 36.3 A 60 V Forbedring 1212-8S, SiSS5623DN
- Vishay Type P-Kanal 108 A 30 V Forbedring PowerPAK 1212, SiSS05DN