Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 34.4 A 30 V Forbedring, 8 Ben, 1212-8, SISH

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 56,03

(ekskl. moms)

Kr. 70,04

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 5.990 enhed(er) afsendes fra 03. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 40Kr. 5,603Kr. 56,03
50 - 90Kr. 4,159Kr. 41,59
100 - 240Kr. 3,71Kr. 37,10
250 - 990Kr. 3,62Kr. 36,20
1000 +Kr. 3,546Kr. 35,46

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
279-9984
Producentens varenummer:
SISH107DN-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

34.4A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

1212-8

Serie

SISH

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.014Ω

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

41nC

Effektafsættelse maks. Pd

26.5W

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Længde

3.3mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay MOSFET er en P-kanal MOSFET, og transistoren i den er fremstillet af materiale kendt som silicium.

TrenchFET effekt MOSFET

100 procent Rg og UIS testet

Fuldt blyfri (Pb)-enhed

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.