Vishay 2 Type N-Kanal, MOSFET, 123 A 40 V Forbedring, 4 Ben, SO-8L, SQJ740EP Nej
- RS-varenummer:
- 280-0020
- Producentens varenummer:
- SQJ740EP-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 18.666,00
(ekskl. moms)
Kr. 23.334,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 04. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 6,222 | Kr. 18.666,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 280-0020
- Producentens varenummer:
- SQJ740EP-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 123A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | SQJ740EP | |
| Emballagetype | SO-8L | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 40 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | 100 percent Rg and UIS tested, RoHS, AEC-Q101 | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 123A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie SQJ740EP | ||
Emballagetype SO-8L | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 0V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 40 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser 100 percent Rg and UIS tested, RoHS, AEC-Q101 | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay automotive MOSFET er en dobbelt N-kanal MOSFET, og transistoren i den er fremstillet af materiale kendt som silicium.
TrenchFET effekt MOSFET
100 procent Rg og UIS testet
AEC-Q101-kvalificeret
Fuldt blyfri (Pb)-enhed
Relaterede links
- Vishay 2 Type N-Kanal 123 A 40 V Forbedring SO-8L, SQJ740EP Nej SQJ740EP-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 350 A 40 V Forbedring PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 350 A 40 V Forbedring PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101 SQJ136ELP-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 123 A 40 V Forbedring SO-8, SQJ152ELP AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 123 A 40 V Forbedring SO-8, SQJ152ELP AEC-Q101 SQJ152ELP-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 243 A 30 V Forbedring PowerPAK SO-8L AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 243 A 30 V Forbedring PowerPAK SO-8L AEC-Q101 SQJ154EP-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 166 A 60 V Forbedring SO-8L, SQJ162EP AEC-Q101 SQJ162EP-T1_GE3