Vishay 2 Type N-Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Forbedring, 4 Ben, 8x8L, SQJQ936EL
- RS-varenummer:
- 280-0022
- Producentens varenummer:
- SQJQ936EL-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 rulle af 2000 enheder)*
Kr. 19.692,00
(ekskl. moms)
Kr. 24.616,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 2.000 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2000 + | Kr. 9,846 | Kr. 19.692,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 280-0022
- Producentens varenummer:
- SQJQ936EL-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 100A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | 8x8L | |
| Serie | SQJQ936EL | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, AEC-Q101, 100 percent Rg and UIS tested | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 100A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype 8x8L | ||
Serie SQJQ936EL | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 0V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS, AEC-Q101, 100 percent Rg and UIS tested | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay automotive MOSFET er en dobbelt N-kanal MOSFET, og transistoren i den er fremstillet af materiale kendt som silicium.
TrenchFET effekt MOSFET
100 procent Rg og UIS testet
AEC-Q101-kvalificeret
Fuldt blyfri (Pb)-enhed
Relaterede links
- Vishay 2 Type N-Kanal 100 A 40 V Forbedring 8x8L, SQJQ936EL
- Vishay 4 Dual N-Kanal 100 A 40 V Forbedring PowerPAK (8x8L), SQJQ936E
- Vishay Type N-Kanal 575 A 40 V Forbedring PowerPAK (8x8L), SQJQ144AE AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 460 A 40 V Forbedring PowerPAK (8x8L), SQJQ142E AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 375 A 40 V Forbedring PowerPAK (8x8L), SQJQ148E AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 701 A 40 V Forbedring PowerPAK (8x8L), TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-kanal-Kanal 155 A 100 V Forbedring PowerPAK (8x8L), TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 118 A 30 V Forbedring PowerPAK (8x8L) AEC-Q101