Vishay 2 Type N-Kanal, MOSFET, 504 A 40 V Forbedring, 8 Ben, SO-8SW, SQRS140ELP
- RS-varenummer:
- 280-0024
- Producentens varenummer:
- SQRS140ELP-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 25.989,00
(ekskl. moms)
Kr. 32.487,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 20. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 8,663 | Kr. 25.989,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 280-0024
- Producentens varenummer:
- SQRS140ELP-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 504A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | SQRS140ELP | |
| Emballagetype | SO-8SW | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 40 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101, 100 percent Rg and UIS tested, RoHS | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 504A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie SQRS140ELP | ||
Emballagetype SO-8SW | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 40 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 0V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101, 100 percent Rg and UIS tested, RoHS | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay automotive MOSFET er en N-kanal MOSFET, og transistoren i den er fremstillet af materiale kendt som silicium.
TrenchFET effekt MOSFET
100 procent Rg og UIS testet
AEC-Q101-kvalificeret
Fuldt blyfri (Pb)-enhed
Relaterede links
- Vishay 2 Type N-Kanal 504 A 40 V Forbedring SO-8SW, SQRS140ELP Nej SQRS140ELP-T1_GE3
- Vishay N-Kanal 58 A 40 V SO-8SW SQRS152ELP-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 330 A 40 V Forbedring SO-8, SQJ138EP Nej SQJ138EP-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 266 A 40 V Forbedring SO-8, SQJ140EP Nej SQJ140EP-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 60 A 40 V Forbedring SO-8, SQJB46EP_RC AEC-Q101 SQJB46EP-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 66 A 40 V Forbedring SO-8, SQJ150EP AEC-Q101 SQJ150EP-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 123 A 40 V Forbedring SO-8, SQJ152ELP AEC-Q101 SQJ152ELP-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 167 A 40 V Forbedring SO-8, SQJ142EP AEC-Q101 SQJ142EP-T1_GE3