Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 17 A 55 V Forbedring, 3 Ben, IPAK, HEXFET Nej

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 6,09

(ekskl. moms)

Kr. 7,61

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 30 enhed(er) afsendes fra 12. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 24Kr. 6,09
25 - 49Kr. 5,76
50 - 99Kr. 5,54
100 - 249Kr. 5,16
250 +Kr. 4,94

*Vejledende pris

RS-varenummer:
541-1607
Producentens varenummer:
IRFU024NPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

17A

Drain source spænding maks. Vds

55V

Serie

HEXFET

Emballagetype

IPAK

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

75mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

20nC

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

45W

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

6.73mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

2.39 mm

Højde

6.22mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 17A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 45W maksimal effektafledning - IRFU024NPBF


Denne højtydende N-kanal MOSFET er velegnet til forskellige elektriske anvendelser. Med specifikationer, der omfatter en maksimal kontinuerlig drain-strøm på 17A og en maksimal drain-source-spænding på 55V, er denne komponent vigtig for fagfolk inden for automatisering og elektronik. Dens evne til at fungere i miljøer med høje temperaturer bidrager til dens pålidelighed i forbindelse med krævende projekter.

Egenskaber og fordele


• Maksimalt strømforbrug på op til 45W for robust drift

• Lav drain-source modstand på 75mΩ forbedrer energieffektiviteten

• Maksimal gate-tærskel på 4V for forbedret ydeevne

• Konfiguration med én transistor forenkler designintegrationen

• Designet til gennemgående hulmontering i en TO-251-pakke for nem installation

Anvendelsesområder


• Bruges i strømstyringssystemer for øget effektivitet

• Ideel til højfrekvente skift

• Velegnet til bilelektronik, der sikrer ensartet ydeevne

• Ansat i industriel automatisering til kontrolsystemer

• Velegnet til telekommunikation for at bevare signalintegriteten

Hvad er den maksimale kontinuerlige afløbsstrøm, der understøttes?


Den maksimale kontinuerlige afløbsstrøm er 17A, hvilket gør den velegnet til forskellige applikationer, der kræver betydelig effekthåndtering.

Hvordan påvirker temperaturen ydeevnen?


Komponenten fungerer effektivt inden for et bredt temperaturområde fra -55 °C til +175 °C, hvilket sikrer stabilitet under ekstreme forhold.

Kan den håndtere varierende gate-source-spændinger?


Ja, den kan rumme gate-source-spændinger fra -20 V til +20 V, hvilket giver fleksibilitet i kredsløbsdesignet.

Hvad er konsekvenserne af lav drain-source-modstand?


En lav drain-source modstand på 75mΩ fører til reduceret varmeudvikling og forbedret effektivitet, hvilket er afgørende for højtydende applikationer.

N-kanal Power MOSFET 55 V, Infineon


Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder i overflademontering leadet pakker og formfaktorer, der kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.

MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links