Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 19 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, IRF9540S
- RS-varenummer:
- 650-4205
- Producentens varenummer:
- IRF9540SPBF
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 92,10
(ekskl. moms)
Kr. 115,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 825 enhed(er) afsendes fra 24. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 18,42 | Kr. 92,10 |
| 25 - 45 | Kr. 16,596 | Kr. 82,98 |
| 50 - 120 | Kr. 15,842 | Kr. 79,21 |
| 125 - 245 | Kr. 14,736 | Kr. 73,68 |
| 250 + | Kr. 13,816 | Kr. 69,08 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 650-4205
- Producentens varenummer:
- IRF9540SPBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 19A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | IRF9540S | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 200mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 61nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 150W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | -100V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 4.83mm | |
| Længde | 10.67mm | |
| Bredde | 9.65 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 19A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie IRF9540S | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 200mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 61nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 150W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf -100V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 4.83mm | ||
Længde 10.67mm | ||
Bredde 9.65 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
P-kanal MOSFET, 100 V til 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type P-Kanal 19 A 100 V Forbedring TO-263, IRF9540S
- Infineon Type P-Kanal 19 A 55 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Vishay Type P-Kanal 6.5 A 200 V Forbedring TO-263, IRF9630S
- Vishay Type P-Kanal 6.8 A 200 V Forbedring TO-263, IRF9640S
- Vishay Type P-Kanal 110 A 60 V Forbedring TO-263
- Vishay Type P-Kanal 150 A 80 V Forbedring TO-263, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 13 A 100 V Forbedring TO-263, SiHF9540S
- Vishay Type P-Kanal 2 A 200 V Forbedring TO-263, SiHF9620S
