Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 600 mA 30 V Forbedring, 3 Ben, SC-70, Si1302DL
- RS-varenummer:
- 655-6795
- Producentens varenummer:
- SI1302DL-T1-E3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 10,92
(ekskl. moms)
Kr. 13,65
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- 1.040 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Sidste 2.350 enhed(er) afsendes fra 05. februar 2026
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 1,092 | Kr. 10,92 |
| 100 - 490 | Kr. 1,07 | Kr. 10,70 |
| 500 - 990 | Kr. 1,04 | Kr. 10,40 |
| 1000 - 2490 | Kr. 1,017 | Kr. 10,17 |
| 2500 + | Kr. 0,987 | Kr. 9,87 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 655-6795
- Producentens varenummer:
- SI1302DL-T1-E3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 600mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | Si1302DL | |
| Emballagetype | SC-70 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 480mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 0.86nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 280mW | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.8V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 1.35 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 2.2mm | |
| Højde | 1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 600mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie Si1302DL | ||
Emballagetype SC-70 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 480mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.86nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 280mW | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.8V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 1.35 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 2.2mm | ||
Højde 1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MOSFET, 30 V til 50 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 600 mA 30 V Forbedring SC-70, Si1302DL Nej
- DiodesZetex Type N-Kanal 70 mA 600 V Forbedring SC-59, BSS127 AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 70 mA 600 V Forbedring SC-59, BSS127 AEC-Q101 BSS127SSN-7
- Vishay Type N-Kanal 11.3 A 100 V Forbedring SC-70, ThunderFET Nej SIA416DJ-T1-GE3
- Vishay Type P-Kanal 12 A 12 V Forbedring SC-70, TrenchFET Nej SIA447DJ-T1-GE3
- Vishay Type P-Kanal 30.3 A 30 V Forbedring SC-70, SiA471DJ Nej SiA471DJ-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 31 A 40 V Forbedring SC-70, SIA Nej SIA4446DJ-T1-GE3
- Vishay Type P-Kanal 12 A 20 V Forbedring SC-70, SiA461DJ Nej SIA461DJ-T1-GE3
