Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 8 A 500 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, IRF840S

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 88,86

(ekskl. moms)

Kr. 111,08

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 65 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 17,772Kr. 88,86
50 - 120Kr. 16,696Kr. 83,48
125 - 245Kr. 15,978Kr. 79,89
250 - 495Kr. 14,198Kr. 70,99
500 +Kr. 13,344Kr. 66,72

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
708-4752
Elfa Distrelec varenummer:
304-36-067
Producentens varenummer:
IRF840SPBF
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

N

Produkttype

Effekt MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

8A

Drain source spænding maks. Vds

500V

Emballagetype

TO-263

Serie

IRF840S

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

850mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

125W

Portkildespænding maks.

-20V, +20V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

63nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

2V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bredde

9.65mm

Længde

10.41mm

Højde

4.83mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

Vishay IRF840S seriens Power MOSFET, 500 V drain source spænding, 125 W maksimal effekttab - IRF840SPBF


Denne effekt-MOSFET er en højspændings N-kanals koblingsenhed, der er designet til overflademonterede anvendelser i strømkonverterings- og styringssystemer. Den fungerer over et bredt termisk område og er beregnet til brug, hvor der kræves robust spændingshåndtering og moderat strømkapacitet, f.eks. industrielle strømforsyninger og højspændingsskifttrin.

Egenskaber og fordele:


• 500 V drain-source-klassificering muliggør højspændingsswitching
• 8 A kontinuerlig drænstrøm understøtter vedvarende belastningsstrømme
• 125 W effekttab muliggør håndtering af høj effekt
• 850 mΩ Rds(on) reducerer ledningstab ved driftsstrømme
• 63 nC typisk gate-ladning muliggør forudsigelig kobling
• 20 V gate-source-grænse giver bred gate-drive-margen

Anvendelser


• Velegnet til koblingstrin for højspændingsstrømforsyning
• Ideel til motordrev inverterfrontender
• Anvendes sammen med boost-omformertopologier i industrielle enheder
• Kan bruges til switch-mode strømretningsmoduler
• Velegnet til omskiftning af højspændingsbelastning i testudstyr

Hvilken monteringsmetode kræves der for pålidelig montering?


Den leveres i en TO-263-pakke, der er konfigureret til overflademonteret printkortmontering, hvilket muliggør reflow-lodning og termisk forbindelse til et printkortkobberområde.

Hvordan fungerer enheden over ekstreme temperaturer?


Samledelen er normeret til drift fra -55 °C op til 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i miljøer med brede omgivende og termiske svingninger.

Hvilke gate-drive-begrænsninger skal overholdes?


Gate-source-spændingen må ikke overstige 20 V for at forhindre skader på enheden, så gate-drive-kredsløb skal omfatte passende klemning eller niveaustyring.

Er der kvalifikationer til biler for denne del?


Det er ikke specificeret, at det opfylder bilstandarder, så det bør ikke antages at være af bilkvalitet til køretøjssikkerhedsanvendelser.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.