Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 8 A 500 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, IRF840S
- RS-varenummer:
- 708-4752
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-36-067
- Producentens varenummer:
- IRF840SPBF
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 88,86
(ekskl. moms)
Kr. 111,075
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 75 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 17,772 | Kr. 88,86 |
| 50 - 120 | Kr. 16,696 | Kr. 83,48 |
| 125 - 245 | Kr. 15,978 | Kr. 79,89 |
| 250 - 495 | Kr. 14,198 | Kr. 70,99 |
| 500 + | Kr. 13,344 | Kr. 66,72 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 708-4752
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-36-067
- Producentens varenummer:
- IRF840SPBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 500V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | IRF840S | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 850mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 63nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 3.1W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.41mm | |
| Højde | 4.83mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 500V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie IRF840S | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 850mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 63nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 3.1W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.41mm | ||
Højde 4.83mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-kanal MOSFET, 500 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 8 A 500 V Forbedring TO-263, IRF840S
- onsemi Type N-Kanal 15 A 500 V Forbedring TO-263, UniFET
- Vishay Type N-Kanal 8 A 500 V Forbedring TO-263, IRF840AS
- STMicroelectronics Type N-Kanal 12 A 500 V Forbedring TO-263, STP12NM50
- Vishay Type N-Kanal 8.1 A 500 V Forbedring TO-263, SiHF840S
- STMicroelectronics Type N-Kanal 14 A 500 V Forbedring TO-263 SuperMESH
- Vishay Type N-Kanal 5 A 500 V Forbedring TO-263, IRF830A
- STMicroelectronics Type N-Kanal 17 A 500 V Forbedring TO-263, MDmesh