Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 8 A 500 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, IRF840S
- RS-varenummer:
- 708-4752
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-36-067
- Producentens varenummer:
- IRF840SPBF
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 69,34
(ekskl. moms)
Kr. 86,675
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 75 enhed(er) afsendes fra 23. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 13,868 | Kr. 69,34 |
| 50 - 120 | Kr. 13,03 | Kr. 65,15 |
| 125 - 245 | Kr. 12,476 | Kr. 62,38 |
| 250 - 495 | Kr. 11,10 | Kr. 55,50 |
| 500 + | Kr. 10,412 | Kr. 52,06 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 708-4752
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-36-067
- Producentens varenummer:
- IRF840SPBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 500V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | IRF840S | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 850mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 63nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 2V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 3.1W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 4.83mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 9.65 mm | |
| Længde | 10.41mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 500V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie IRF840S | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 850mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 63nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 2V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 3.1W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 4.83mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 9.65 mm | ||
Længde 10.41mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-kanal MOSFET, 500 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 8 A 500 V Forbedring TO-263, IRF840S Nej
- Vishay Type N-Kanal 8 A 500 V Forbedring TO-263, IRF840AS Nej
- Vishay Type N-Kanal 8.1 A 500 V Forbedring TO-263, SiHF840S Nej
- Vishay Type N-Kanal 8 A 500 V Forbedring TO-263, IRF840AS Nej IRF840ASPBF
- STMicroelectronics Type N-Kanal 14 A 500 V Forbedring TO-263 Nej
- Vishay Type N-Kanal 5 A 500 V Forbedring TO-263, IRF830A Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 14 A 500 V Forbedring TO-263 Nej STB14NK50ZT4
- Vishay Type N-Kanal 5 A 500 V Forbedring TO-263, IRF830A Nej IRF830ASPBF
