IXYS N-Kanal, MOSFET-transistor, 32 A 500 V, 3 ben, TO-264AA, HiperFET, Q-Class IXFK32N50Q
- RS-varenummer:
- 711-5386P
- Producentens varenummer:
- IXFK32N50Q
- Brand:
- IXYS
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 2 enheder (leveres i et rør)*
Kr. 201,64
(ekskl. moms)
Kr. 252,04
(inkl. moms)
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 2 - 4 | Kr. 100,82 |
| 5 - 9 | Kr. 87,37 |
| 10 - 19 | Kr. 78,34 |
| 20 + | Kr. 71,99 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 711-5386P
- Producentens varenummer:
- IXFK32N50Q
- Brand:
- IXYS
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 32 A | |
| Drain source spænding maks. | 500 V | |
| Kapslingstype | TO-264AA | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. | 160 mΩ | |
| Kanalform | Enhancement | |
| Maks. tærskelspænding for port | 4.5V | |
| Effektafsættelse maks. | 416000 mW | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Gate source spænding maks. | -20 V, +20 V | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Bredde | 5.13mm | |
| Gate-ladning ved Vgs typisk | 150 nC ved 10 V | |
| Længde | 19.96mm | |
| Driftstemperatur maks. | +150 °C | |
| Højde | 26.16mm | |
| Serie | HiperFET, Q-Class | |
| Driftstemperatur min. | -55 °C | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. 32 A | ||
Drain source spænding maks. 500 V | ||
Kapslingstype TO-264AA | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. 160 mΩ | ||
Kanalform Enhancement | ||
Maks. tærskelspænding for port 4.5V | ||
Effektafsættelse maks. 416000 mW | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Gate source spænding maks. -20 V, +20 V | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Bredde 5.13mm | ||
Gate-ladning ved Vgs typisk 150 nC ved 10 V | ||
Længde 19.96mm | ||
Driftstemperatur maks. +150 °C | ||
Højde 26.16mm | ||
Serie HiperFET, Q-Class | ||
Driftstemperatur min. -55 °C | ||