IXYS Type N-Kanal, MOSFET, 64 A 500 V Forbedring, 3 Ben, PLUS247 Nej IXFX64N50Q3

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 142,79

(ekskl. moms)

Kr. 178,49

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 26 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 142,79
10 - 19Kr. 121,55
20 - 49Kr. 116,24
50 - 249Kr. 112,27
250 +Kr. 109,81

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
801-1503
Elfa Distrelec varenummer:
302-53-408
Producentens varenummer:
IXFX64N50Q3
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

64A

Drain source spænding maks. Vds

500V

Emballagetype

PLUS247

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

85mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

145nC

Gennemgangsspænding Vf

1.4V

Portkildespænding maks.

30 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

1kW

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

5.21 mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

16.13mm

Højde

21.34mm

Distrelec Product Id

30253408

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 serien


IXYS Q3-klassen af HiperFET™ effekt-MOSFET'er er velegnet til både hårde tilkoblings- og resonans-mode-anvendelser og giver lave portopladning med uovertruffen holdbarhed. Enhederne har en fast, egensikker diode og findes i en række branchestandardpakker, inklusive isolerede typer, med effekter på op til 1100 V og 70 A. Typiske anvendelser omfatter DC-DC-konvertere, batteriopladere, switch-mode- og resonans-mode-strømforsyninger, DC-snittere, temperatur- og lysstyring.

Hurtig, egensikker ensretterdiode

Lav RDS (til) og QG (portopladning)

Lav egensikker portmodstand

Huse i industristandard

Lav pakkeselvinduktion

Høj effekttæthed

MOSFET-transistorer, IXYS


EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS

Relaterede links