onsemi Type P-Kanal, MOSFET, 20 A 30 V Forbedring, 8 Ben, MLP8, PowerTrench Nej FDMC6679AZ

Se alle MOSFET

Indhold (1 bånd af 5 enheder)*

Kr. 56,40

(ekskl. moms)

Kr. 70,50

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 20.630 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr bånd*
5 +Kr. 11,28Kr. 56,40

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
759-9522
Producentens varenummer:
FDMC6679AZ
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Kanaltype

Type P

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

20A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Serie

PowerTrench

Emballagetype

MLP8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

10mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

41W

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

65nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

±25 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

0.75mm

Bredde

3.3 mm

Standarder/godkendelser

Lead-Free and RoHS

Længde

3.3mm

Bilindustristandarder

Nej

PowerTrench® P-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor


PowerTrench® MOSFET'er er optimerede strømkontakter, der forøger systemets effektivitet og effekttæthed. De kombinerer lille gate-opladning (Qg), lille omvendt genoprettelsesstrøm (Qrr) og blød omvendt genopretnings-husdiode, som bidrager til hurtigt skift af synkron ensretning i AC/DC-strømforsyninger.

De nyeste PowerTrench® MOSFET'er anvender skærmet gate-struktur, der sikrer ladebalance. Ved at udnytte denne avancerede teknologi er FOM (Figure of Merit) for disse enheder betydeligt lavere end i tidligere generationer.

Blød husdiode-ydeevne for PowerTrench® MOSFET'er er i stand til at eliminere dæmperkredsløb eller erstatte en MOSFET med højere nominel spænding.

MOSFET transistorer, PÅ Semi


På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.

På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.

Relaterede links