onsemi 2 Type P-Kanal Isoleret, Effekt MOSFET, 2.6 A 20 V Forbedring, 6 Ben, MicroFET tynd, PowerTrench

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 17,35

(ekskl. moms)

Kr. 21,70

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 4.260 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 5Kr. 3,47Kr. 17,35
10 - 95Kr. 3,352Kr. 16,76
100 - 495Kr. 3,292Kr. 16,46
500 - 995Kr. 3,216Kr. 16,08
1000 +Kr. 3,126Kr. 15,63

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
759-9572
Producentens varenummer:
FDME1023PZT
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Kanaltype

Type P

Produkttype

Effekt MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

2.6A

Drain source spænding maks. Vds

20V

Emballagetype

MicroFET tynd

Serie

PowerTrench

Monteringstype

Overflade

Benantal

6

Drain source modstand maks. Rds

142mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

7.7nC

Effektafsættelse maks. Pd

1.4W

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

150°C

Transistorkonfiguration

Isoleret

Højde

0.5mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Længde

1.6mm

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

PowerTrench® Dual P-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor


PowerTrench® MOSFET'er er optimerede strømkontakter, der forøger systemets effektivitet og effekttæthed. De kombinerer lille gate-opladning (Qg), lille omvendt genoprettelsesstrøm (Qrr) og blød omvendt genopretnings-husdiode, som bidrager til hurtigt skift af synkron ensretning i AC/DC-strømforsyninger.

De nyeste PowerTrench® MOSFET'er anvender skærmet gate-struktur, der sikrer ladebalance. Ved at udnytte denne avancerede teknologi er FOM (Figure of Merit) for disse enheder betydeligt lavere end i den tidligere generation.

Blød husdiode-ydeevne for PowerTrench® MOSFET'er er i stand til at eliminere dæmperkredsløb eller erstatte en MOSFET med højere nominel spænding.

MOSFET transistorer, PÅ Semi


På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.

På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.