STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET-transistor, 1,4 A 600 V, 3 ben, TO-251, MDmesh, SuperMESH STD2NK60Z-1

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks.

1,4 A

Drain source spænding maks.

600 V

Kapslingstype

TO-251

Serie

MDmesh, SuperMESH

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks.

8 Ω

Kanalform

Enhancement

Maks. tærskelspænding for port

4.5V

Mindste tærskelspænding for port

3V

Effektafsættelse maks.

45 W

Gate source spænding maks.

-30 V, +30 V

Længde

6.6mm

Driftstemperatur maks.

+150 °C

Bredde

2.4mm

Gate-ladning ved Vgs typisk

7,7 nC ved 10 V

Antal elementer per chip

1

Driftstemperatur min.

-55 °C

Højde

6.2mm