STMicroelectronics Type N-Kanal, MDmesh II Power MOSFET, 17 A 500 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, MDmesh Nej STB23NM50N
- RS-varenummer:
- 761-0663
- Producentens varenummer:
- STB23NM50N
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 38,00
(ekskl. moms)
Kr. 47,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 980 enhed(er) afsendes fra 25. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 1 | Kr. 38,00 |
| 2 + | Kr. 36,05 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 761-0663
- Producentens varenummer:
- STB23NM50N
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MDmesh II Power MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 17A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 500V | |
| Serie | MDmesh | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.19Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 125W | |
| Portkildespænding maks. | ±25 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 45nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 4.6mm | |
| Bredde | 10.4 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.75mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MDmesh II Power MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 17A | ||
Drain source spænding maks. Vds 500V | ||
Serie MDmesh | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.19Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 125W | ||
Portkildespænding maks. ±25 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 45nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 4.6mm | ||
Bredde 10.4 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.75mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MDmesh™, 500 V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 17 A 500 V D2PAK (TO-263), MDmesh STB23NM50N
- STMicroelectronics N-Kanal 17 A 650 V D2PAK (TO-263), MDmesh STB24NM60N
- STMicroelectronics N-Kanal 17 A 800 V D2PAK (TO-263), MDmesh STB18NM80
- STMicroelectronics N-Kanal 14 A 500 V D2PAK (TO-263) SuperMESH STB14NK50ZT4
- STMicroelectronics N-Kanal 7 3 ben MDmesh, SuperMESH STB9NK50ZT4
- STMicroelectronics N-Kanal 5.8 A 900 V D2PAK (TO-263) SuperMESH STB6NK90ZT4
- STMicroelectronics N-Kanal 30 A 710 V D2PAK (TO-263), MDmesh M5 STB38N65M5
- STMicroelectronics N-Kanal 12 A 600 V D2PAK (TO-263), MDmesh DM2 STB18N60DM2
