Toshiba Type N-Kanal, MOSFET, 9 A 900 V Forbedring, 3 Ben, TO-3PN, TK Nej TK9J90E
- RS-varenummer:
- 796-5153
- Producentens varenummer:
- TK9J90E
- Brand:
- Toshiba
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 40,69
(ekskl. moms)
Kr. 50,86
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 42 enhed(er) afsendes fra 19. januar 2026
- Plus 278 enhed(er) afsendes fra 19. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 49 | Kr. 40,69 |
| 50 - 149 | Kr. 27,45 |
| 150 - 374 | Kr. 26,85 |
| 375 - 749 | Kr. 25,96 |
| 750 + | Kr. 25,28 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 796-5153
- Producentens varenummer:
- TK9J90E
- Brand:
- Toshiba
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 9A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 900V | |
| Serie | TK | |
| Emballagetype | TO-3PN | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.3Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 46nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.7V | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 250W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 20mm | |
| Længde | 15.5mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 4.5 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 9A | ||
Drain source spænding maks. Vds 900V | ||
Serie TK | ||
Emballagetype TO-3PN | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.3Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 46nC | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.7V | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 250W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 20mm | ||
Længde 15.5mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 4.5 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
MOSFET N-kanal, TK8- og TK9-serien, Toshiba
MOSFET-transistorer, Toshiba
Relaterede links
- Toshiba Type N-Kanal 9 A 900 V Forbedring TO-3PN, TK Nej
- Toshiba Type N-Kanal 11.5 A 600 V Forbedring TO-3PNS1VQ(O
- Toshiba N-Kanal 10 A 800 V TO-3PN, TK TK10J80E
- Toshiba N-Kanal 9 A 900 V TO-3PN, 2SK 2SK3878(F)
- Toshiba N-Kanal 62 A 600 V TO-3PNS1VQ(O
- Toshiba Type N-Kanal 30 A 250 V Forbedring TO-3PN Nej TK30J25D,S1F(O
- Toshiba Type N-Kanal 207 A 100 V Forbedring TO-220, TK Nej
- Toshiba Type N-Kanal 55 A 80 V Forbedring TO-220, TK Nej
