IXYS Type N-Kanal, MOSFET, 18 A 1 kV Forbedring, 3 Ben, ISOPLUS247 Nej IXFR24N100Q3

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 262,55

(ekskl. moms)

Kr. 328,19

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 12 enhed(er) afsendes fra 08. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 262,55
10 - 19Kr. 236,37
20 - 49Kr. 225,82
50 - 249Kr. 217,97
250 +Kr. 213,48

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
801-1433
Elfa Distrelec varenummer:
302-53-394
Producentens varenummer:
IXFR24N100Q3
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

18A

Drain source spænding maks. Vds

1kV

Emballagetype

ISOPLUS247

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

490mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

30 V

Effektafsættelse maks. Pd

500W

Gennemgangsspænding Vf

1.4V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

140nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

16.13mm

Højde

21.34mm

Bredde

5.21 mm

Standarder/godkendelser

No

Distrelec Product Id

30253394

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 serien


IXYS Q3-klassen af HiperFET™ effekt-MOSFET'er er velegnet til både hårde tilkoblings- og resonans-mode-anvendelser og giver lave portopladning med uovertruffen holdbarhed. Enhederne har en fast, egensikker diode og findes i en række branchestandardpakker, inklusive isolerede typer, med effekter på op til 1100 V og 70 A. Typiske anvendelser omfatter DC-DC-konvertere, batteriopladere, switch-mode- og resonans-mode-strømforsyninger, DC-snittere, temperatur- og lysstyring.

Hurtig, egensikker ensretterdiode

Lav RDS (til) og QG (portopladning)

Lav egensikker portmodstand

Huse i industristandard

Lav pakkeselvinduktion

Høj effekttæthed

MOSFET-transistorer, IXYS


EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS

Relaterede links