onsemi 2 Type N-Kanal Isoleret, MOSFET, 4.5 A 100 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench Nej FDS3992

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 66,05

(ekskl. moms)

Kr. 82,55

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 1.735 enhed(er) afsendes fra 06. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 20Kr. 13,21Kr. 66,05
25 - 120Kr. 12,132Kr. 60,66
125 - 620Kr. 11,908Kr. 59,54
625 - 1245Kr. 11,668Kr. 58,34
1250 +Kr. 10,786Kr. 53,93

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
806-3649
Producentens varenummer:
FDS3992
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

4.5A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Serie

PowerTrench

Emballagetype

SOIC

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

123mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

11nC

Effektafsættelse maks. Pd

2.5W

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

150°C

Driftstemperatur maks.

-55°C

Transistorkonfiguration

Isoleret

Højde

1.575mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

3.9 mm

Længde

4.9mm

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

PowerTrench® Dual N-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor


På semis er PowerTrench® MOSFETS optimeret strømafbryder, der giver øget systemeffektivitet og effekttæthed. De kombinerer lille portladning, lille reverse recovery og en blød reverse recovery kropsdiode for at bidrage til hurtig skift af synkron rektifikation i AC/DC strømforsyninger.

Blød husdiode-ydeevne for PowerTrench® MOSFET'er er i stand til at eliminere dæmperkredsløb eller erstatte en MOSFET med højere nominel spænding.

MOSFET transistorer, PÅ Semi


På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.

På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.

Relaterede links