Vishay Type P-Kanal, Effekt MOSFET, 6.7 A 60 V Forbedring, 3 Ben, JEDEC TO-220AB, RF9Z10 Nej
- RS-varenummer:
- 815-2679
- Producentens varenummer:
- IRF9Z10PBF
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 107,26
(ekskl. moms)
Kr. 134,08
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 10,726 | Kr. 107,26 |
| 100 - 240 | Kr. 8,138 | Kr. 81,38 |
| 250 - 490 | Kr. 7,495 | Kr. 74,95 |
| 500 - 990 | Kr. 6,448 | Kr. 64,48 |
| 1000 + | Kr. 5,58 | Kr. 55,80 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 815-2679
- Producentens varenummer:
- IRF9Z10PBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 6.7A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | RF9Z10 | |
| Emballagetype | JEDEC TO-220AB | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.5Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 43W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 12nC | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | -5.5V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS 2002/95/EC | |
| Længde | 10.51mm | |
| Højde | 15.49mm | |
| Bredde | 4.65 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 6.7A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie RF9Z10 | ||
Emballagetype JEDEC TO-220AB | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.5Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 43W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 12nC | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf -5.5V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS 2002/95/EC | ||
Længde 10.51mm | ||
Højde 15.49mm | ||
Bredde 4.65 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
P-kanal MOSFET, 30 V til 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type P-Kanal 6.7 A 60 V Forbedring JEDEC TO-220AB, RF9Z10 Nej IRF9Z10PBF
- Vishay 1 Type P-Kanal Enkelt 11 A 60 V, JEDEC TO-220AB Nej
- Vishay 1 Type P-Kanal Enkelt 11 A 60 V, JEDEC TO-220AB Nej IRF9Z24PBF
- Vishay Type N-Kanal 30 A 60 V Forbedring JEDEC TO-220AB, IRFZ Nej
- Vishay Type N-Kanal 17 A 60 V Forbedring JEDEC TO-220AB, IRFZ Nej
- Infineon Type N-Kanal 48 A 60 V Forbedring JEDEC TO-220AB, HEXFET Nej
- Vishay 1 Type P-Kanal Enkelt 18 A 50 V, JEDEC TO-220AB Nej
- Infineon Type N-Kanal 48 A 60 V Forbedring JEDEC TO-220AB, HEXFET Nej IRFZ44EPBF
