Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 2.2 A 20 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, SQ Rugged AEC-Q101 SQ2301ES-T1-GE3
- RS-varenummer:
- 819-3908
- Producentens varenummer:
- SQ2301ES-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 63,58
(ekskl. moms)
Kr. 79,48
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 380 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | Kr. 3,179 | Kr. 63,58 |
| 200 - 480 | Kr. 2,989 | Kr. 59,78 |
| 500 - 980 | Kr. 2,701 | Kr. 54,02 |
| 1000 - 1980 | Kr. 2,54 | Kr. 50,80 |
| 2000 + | Kr. 2,383 | Kr. 47,66 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 819-3908
- Producentens varenummer:
- SQ2301ES-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 2.2A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Serie | SQ Rugged | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 180mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 5nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 8 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 3W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 1.02mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 3.04mm | |
| Bredde | 1.4 mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2.2A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Serie SQ Rugged | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 180mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 5nC | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Portkildespænding maks. 8 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 3W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 1.02mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 3.04mm | ||
Bredde 1.4 mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
P-kanal MOSFET, SQ robust serie, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay P-Kanal 2 3 ben SQ Rugged SQ2301ES-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 17 A 40 V SOIC, SQ Rugged SQ4401EY-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 12 A 60 V SOIC, SQ Rugged AEC-Q101 SQ4850EY-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 2 3 ben, SOT-23 SI2367DS-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 3 A 12 V SOT-23, SQ Rugged SQ2315ES-T1_GE3
- Vishay N-Kanal 6 A 20 V SOT-23, SQ Rugged AEC-Q101 SQ2310ES-T1_BE3
- Vishay P-Kanal 6 SOT-23 SI2393DS-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 50 A 40 V DPAK (TO-252), SQ Rugged AEC-Q101 SQD50N04-4M5L-GE3
