Infineon N-Kanal, MOSFET, 80 A 60 V, 3 ben, TO-220, OptiMOS T2 IPP80N06S4L-05
- RS-varenummer:
- 826-9339P
- Producentens varenummer:
- IPP80N06S4L-05
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 100 enheder (leveres i et rør)*
Kr. 621,20
(ekskl. moms)
Kr. 776,50
(inkl. moms)
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 100 - 180 | Kr. 6,212 |
| 200 - 280 | Kr. 6,142 |
| 300 - 480 | Kr. 6,018 |
| 500 + | Kr. 5,489 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 826-9339P
- Producentens varenummer:
- IPP80N06S4L-05
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 80 A | |
| Drain source spænding maks. | 60 V | |
| Kapslingstype | TO-220 | |
| Serie | OptiMOS T2 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. | 8,5 mΩ | |
| Kanalform | Enhancement | |
| Maks. tærskelspænding for port | 2V | |
| Mindste tærskelspænding for port | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. | 107 W | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Gate source spænding maks. | -16 V, +16 V | |
| Gate-ladning ved Vgs typisk | 83 nC ved 10 V | |
| Bredde | 4.57mm | |
| Transistormateriale | Si | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Driftstemperatur maks. | +175 °C | |
| Længde | 10.36mm | |
| Driftstemperatur min. | -55 °C | |
| Højde | 15.95mm | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. 80 A | ||
Drain source spænding maks. 60 V | ||
Kapslingstype TO-220 | ||
Serie OptiMOS T2 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. 8,5 mΩ | ||
Kanalform Enhancement | ||
Maks. tærskelspænding for port 2V | ||
Mindste tærskelspænding for port 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. 107 W | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Gate source spænding maks. -16 V, +16 V | ||
Gate-ladning ved Vgs typisk 83 nC ved 10 V | ||
Bredde 4.57mm | ||
Transistormateriale Si | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Driftstemperatur maks. +175 °C | ||
Længde 10.36mm | ||
Driftstemperatur min. -55 °C | ||
Højde 15.95mm | ||
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 80 A 60 V Forbedring TO-220, OptiMOS-T2
- Infineon Type N-Kanal 120 A 80 V Forbedring TO-220, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 80 A 60 V Forbedring TO-262, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 120 A 80 V Forbedring TO-263, OptiMOS -T2 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 120 A 80 V Forbedring TO-263, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 80 A 80 V Forbedring TO-220, OptiMOS 5
- Infineon Type N-Kanal 80 A 80 V Forbedring TO-220, OptiMOS 3
- Infineon Type N-Kanal 120 A 80 V Forbedring TO-220, OptiMOS