Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 33 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, HEXFET Nej IRF540NSTRRPBF

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 104,12

(ekskl. moms)

Kr. 130,15

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 120 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
  • Plus 50 enhed(er) afsendes fra 08. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 90Kr. 10,412Kr. 104,12
100 - 240Kr. 9,889Kr. 98,89
250 - 490Kr. 9,058Kr. 90,58
500 - 990Kr. 7,809Kr. 78,09
1000 +Kr. 6,56Kr. 65,60

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
831-2840
Producentens varenummer:
IRF540NSTRRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

33A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Serie

HEXFET

Emballagetype

TO-263

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

44mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Effektafsættelse maks. Pd

130W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

71nC

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

10.67mm

Højde

4.83mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

9.65 mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 33A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 130W maksimal effektafledning - IRF540NSTRRPBF


Denne N-kanals power-MOSFET er specielt designet til højeffektive anvendelser og leverer en betydelig ydelse i forskellige elektroniske systemer. Den udmærker sig i miljøer med høj strømstyrke, hvor pålidelighed og lav modstand er afgørende. Forbedringerne gør den særlig nyttig i industrier med fokus på automatisering og strømstyring.

Egenskaber og fordele


• Lav RDS(on) minimerer strømtab under drift

• Kontinuerlig afløbsstrøm på 33A understøtter forskellige anvendelser

• Bredt gate-source-spændingsområde giver designfleksibilitet

• Tåler høje temperaturer op til 175°C

• Hurtig omskiftning forbedrer den samlede kredsløbseffektivitet

• D2PAK-design til overflademontering letter PCB-integration

Anvendelsesområder


• Bruges i strømstyringskredsløb til automatisering

• Almindeligvis implementeret i DC-DC-konvertere for energieffektivitet

• Velegnet til motordrift der kræver høj strøm

• Findes i strømforsyningsmoduler til industriel elektronik

• Velegnet til bilindustrien på grund af robust termisk ydeevne

Hvad er betydningen af lav RDS(on) i drift?


Lav RDS(on) reducerer varmeudviklingen og forbedrer energieffektiviteten, hvilket er afgørende for at forlænge komponenternes levetid og sænke driftsomkostningerne.

Hvordan klarer MOSFET'en sig ved højere temperaturer?


Den fungerer pålideligt op til 175 °C, hvilket sikrer stabilitet under ekstreme forhold, samtidig med at den opfylder kravene til ydeevne uden fejl.

Kan denne enhed håndtere pulserende strømme, og hvad er specifikationerne?


Den understøtter pulserende afløbsstrømme på op til 110 A og håndterer effektivt korte udbrud af høj effekt, hvilket gør den ideel til applikationer med svingende belastningsforhold.

Hvad er konsekvenserne af den specificerede gate-tærskelspænding?


Gate-tærskelspændingsområdet på 2V til 4V angiver den spænding, der er nødvendig for at starte ledning, hvilket giver vigtig information til designintegration i kontrolkredsløb.

Hvordan påvirker D2PAK-pakken dens anvendelighed?


D2PAK-pakkedesignet fremmer effektiv varmeafledning og forenkler overflademontering, hvilket gør den velegnet til applikationer med høj effekt på kompakte printkort.

Relaterede links