Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 37 A 150 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3 Nej IPA105N15N3GXKSA1
- RS-varenummer:
- 906-2956
- Producentens varenummer:
- IPA105N15N3GXKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 4 enheder)*
Kr. 143,38
(ekskl. moms)
Kr. 179,224
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 296 enhed(er) afsendes fra 02. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 4 - 16 | Kr. 35,845 | Kr. 143,38 |
| 20 - 36 | Kr. 34,053 | Kr. 136,21 |
| 40 - 96 | Kr. 32,633 | Kr. 130,53 |
| 100 - 196 | Kr. 31,173 | Kr. 124,69 |
| 200 + | Kr. 29,023 | Kr. 116,09 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 906-2956
- Producentens varenummer:
- IPA105N15N3GXKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 37A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 150V | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 11.1mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 41nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 40.5W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 4.85 mm | |
| Højde | 16.15mm | |
| Længde | 10.65mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Distrelec Product Id | 304-44-433 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 37A | ||
Drain source spænding maks. Vds 150V | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 11.1mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 41nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 40.5W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 4.85 mm | ||
Højde 16.15mm | ||
Længde 10.65mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Distrelec Product Id 304-44-433 | ||
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFET'er, 100 V og derover
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFETer industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 37 A 150 V TO-220 FP, OptiMOS™ 3 IPA105N15N3GXKSA1
- Infineon N-Kanal 70 A 40 V TO-220 FP, OptiMOS™ 3 IPA041N04NGXKSA1
- Infineon N-Kanal 43 A 60 V TO-220 FP, OptiMOS™ 3 IPA093N06N3GXKSA1
- Infineon N-Kanal 60 A 60 V TO-220 FP, OptiMOS™ 3 IPA057N06N3GXKSA1
- Infineon N-Kanal 45 A 100 V TO-220 FP, OptiMOS™ 3 IPA086N10N3GXKSA1
- Infineon N-Kanal 100 A 80 V TO-220 FP, OptiMOS™ 3 IPA028N08N3GXKSA1
- Infineon N-Kanal 50 A 150 V TO-220, OptiMOS™ 3 IPP200N15N3GXKSA1
- Infineon N-Kanal 83 A 150 V TO-220, OptiMOS™ 3 IPP111N15N3GXKSA1
