Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 49 A 40 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 3

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 5000 enheder)*

Kr. 7.100,00

(ekskl. moms)

Kr. 8.900,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 25.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
5000 +Kr. 1,42Kr. 7.100,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
911-4858
Producentens varenummer:
BSC093N04LSGATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

49A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Serie

OptiMOS 3

Emballagetype

TDSON

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

13.7mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

8.6nC

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

2.5W

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

1.1mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

6.35mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
MY

Infineon OptiMOS™ 3 Series MOSFET, 49A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 2,5W maksimal effektafledning - BSC093N04LSGATMA1


Denne MOSFET er designet til effektiv strømstyring og -kontrol og spiller en vigtig rolle i automatisering og elektriske applikationer, der kræver høj ydeevne. Integrationen forbedrer kredsløbets effektivitet og bidrager til systemets samlede pålidelighed og reaktionsevne i forskellige miljøer.

Egenskaber og fordele


• Giver en maksimal kontinuerlig afløbsstrøm på 49A

• Fungerer effektivt i et spændingsområde på 40V

• Lav drain-source-modstand forbedrer ydeevnen

• Understøtter overflademontering for lettere integration

• Høj termisk stabilitet med en maksimal temperatur på +150 °C

• Velegnet til forskellige anvendelser på grund af et bredt gate-tærskelspændingsområde

Anvendelsesområder


• Ideel til strøm inden for automatisering og robotteknologi

• Anvendes i opladningssystemer til elbiler

• Velegnet til strømforsynings- og konverteringsopgaver

• Anvendes i motorstyringskredsløb og drev

• Bruges i telekommunikation til effektiv signalstyring

Hvilken type belastning kan denne enhed håndtere effektivt?


Den kan håndtere belastninger på op til 49 A, hvilket gør den velegnet til applikationer med høj strømstyrke i forskellige brancher.

Er den kompatibel med overflademonteringsteknologi?


Ja, den har et overflademonteret design, der gør det nemt at installere den på printkort.

Hvad er gate-spændingsbegrænsningerne for denne komponent?


Enheden har gate-source-spændingsgrænser på -20V til +20V, hvilket giver fleksibilitet i kredsløbsdesign.

Kan den fungere under ekstreme temperaturforhold?


Ja, den fungerer effektivt inden for et temperaturområde fra -55 °C til +150 °C, hvilket sikrer funktionalitet i barske miljøer.

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFET'er, op til 40 V


OptiMOS™ produkter findes i højtydende pakker til at løse de mest krævende opgaver, og de giver fuld fleksibilitet på begrænset plads. Disse Infineon-produkter er konstrueret til at opfylde og overstige kravene til energieffektivitet og effekttæthed i de skærpede næste-generations standarder for spændingsregulering i computere.

Hurtigt skiftende MOSFET til SMPS

Optimeret teknologi til DC/DC-konvertere

Kvalificeret i overensstemmelse med JEDEC1) til målanvendelser

N-kanal, logikniveau

Fremragende gate-opladning x R DS(til) produkt (FOM)

Meget lav modstand ved tændt R DS(on)

Blyfri belægning

MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links