Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 49 A 40 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 3
- RS-varenummer:
- 911-4858
- Producentens varenummer:
- BSC093N04LSGATMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 5000 enheder)*
Kr. 7.100,00
(ekskl. moms)
Kr. 8.900,00
(inkl. moms)
Tilføj 5000 enheder for at opnå gratis levering
På lager
- Plus 25.000 enhed(er) afsendes fra 23. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 5000 + | Kr. 1,42 | Kr. 7.100,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 911-4858
- Producentens varenummer:
- BSC093N04LSGATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 49A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Emballagetype | TDSON | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 13.7mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.5W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 8.6nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 6.35mm | |
| Bredde | 5.35 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 49A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Emballagetype TDSON | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 13.7mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.5W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 8.6nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 6.35mm | ||
Bredde 5.35 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon OptiMOS™ 3 Series MOSFET, 49A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 2,5W maksimal effektafledning - BSC093N04LSGATMA1
Denne MOSFET er designet til effektiv strømstyring og -kontrol og spiller en vigtig rolle i automatisering og elektriske applikationer, der kræver høj ydeevne. Integrationen forbedrer kredsløbets effektivitet og bidrager til systemets samlede pålidelighed og reaktionsevne i forskellige miljøer.
Egenskaber og fordele
• Giver en maksimal kontinuerlig afløbsstrøm på 49A
• Fungerer effektivt i et spændingsområde på 40V
• Lav drain-source-modstand forbedrer ydeevnen
• Understøtter overflademontering for lettere integration
• Høj termisk stabilitet med en maksimal temperatur på +150 °C
• Velegnet til forskellige anvendelser på grund af et bredt gate-tærskelspændingsområde
Anvendelsesområder
• Ideel til strøm inden for automatisering og robotteknologi
• Anvendes i opladningssystemer til elbiler
• Velegnet til strømforsynings- og konverteringsopgaver
• Anvendes i motorstyringskredsløb og drev
• Bruges i telekommunikation til effektiv signalstyring
Hvilken type belastning kan denne enhed håndtere effektivt?
Den kan håndtere belastninger på op til 49 A, hvilket gør den velegnet til applikationer med høj strømstyrke i forskellige brancher.
Er den kompatibel med overflademonteringsteknologi?
Ja, den har et overflademonteret design, der gør det nemt at installere den på printkort.
Hvad er gate-spændingsbegrænsningerne for denne komponent?
Enheden har gate-source-spændingsgrænser på -20V til +20V, hvilket giver fleksibilitet i kredsløbsdesign.
Kan den fungere under ekstreme temperaturforhold?
Ja, den fungerer effektivt inden for et temperaturområde fra -55 °C til +150 °C, hvilket sikrer funktionalitet i barske miljøer.
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFET'er, op til 40 V
OptiMOS™ produkter findes i højtydende pakker til at løse de mest krævende opgaver, og de giver fuld fleksibilitet på begrænset plads. Disse Infineon-produkter er konstrueret til at opfylde og overstige kravene til energieffektivitet og effekttæthed i de skærpede næste-generations standarder for spændingsregulering i computere.
Hurtigt skiftende MOSFET til SMPS
Optimeret teknologi til DC/DC-konvertere
Kvalificeret i overensstemmelse med JEDEC1) til målanvendelser
N-kanal, logikniveau
Fremragende gate-opladning x R DS(til) produkt (FOM)
Meget lav modstand ved tændt R DS(on)
Blyfri belægning
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFETer industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 49 A 40 V Forbedring TDSON, OptiMOS 3
- Infineon Type N-Kanal 275 A 40 V Forbedring TDSON, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 40 A 30 V Forbedring TDSON, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 100 A 40 V Forbedring TDSON, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 100 A 40 V Forbedring TDSON, OptiMOS 5
- Infineon Type N-Kanal 100 A 40 V Forbedring TDSON, OptiMOS 3
- Infineon Type N-Kanal 40 A 60 V Forbedring TDSON, OptiMOS 5
- Infineon Type N-Kanal 381 A 40 V Forbedring TDSON, OptiMOS™
