Infineon N-Kanal, MOSFET, 65 A 200 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- RS-varenummer:
- 913-3932
- Producentens varenummer:
- IRFB4227PBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 407,95
(ekskl. moms)
Kr. 509,95
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 950 enhed(er) afsendes fra 27. maj 2027
- Plus 1.000 enhed(er) afsendes fra 07. oktober 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 8,159 | Kr. 407,95 |
| 100 - 200 | Kr. 7,505 | Kr. 375,25 |
| 250 + | Kr. 7,099 | Kr. 354,95 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 913-3932
- Producentens varenummer:
- IRFB4227PBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 65A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 24mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 330W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 70nC | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Portkildespænding maks. | -30V, +30V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 4.82mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Højde | 9.02mm | |
| Længde | 10.66mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 65A | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 24mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 330W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 70nC | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Portkildespænding maks. -30V, +30V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 4.82mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Højde 9.02mm | ||
Længde 10.66mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon HEXFET seriens MOSFET, 200 V maksimal drain-source spænding, 65 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IRFB4227PBF
Denne MOSFET er en højstrøms N-kanal-forbedringsenhed, der er designet til strømkobling og styring i krævende elektroniske systemer. Den fungerer over et bredt temperaturområde og leveres i en TO-220-pakke med gennemgående huller, der er velegnet til konventionel kortmontering. Enheden opfylder RoHS-kravene og er beregnet til anvendelser, der kræver betydelig kontinuerlig strømhåndtering og termisk modstandsdygtighed.
Egenskaber og fordele:
• 24 mΩ lav Rds(on) giver reducerede ledningstab
• 330 W effekttab muliggør vedvarende termisk belastningshåndtering
• 70 nC gate-ladning muliggør hurtigere skifteovergange
• 30 V porttolerance understøtter robuste portdrevmargener
• Mærkeværdi fra -40 °C til 175 °C understøtter brede driftsmiljøer
• 330 W effekttab muliggør vedvarende termisk belastningshåndtering
• 70 nC gate-ladning muliggør hurtigere skifteovergange
• 30 V porttolerance understøtter robuste portdrevmargener
• Mærkeværdi fra -40 °C til 175 °C understøtter brede driftsmiljøer
Anvendelser
• Velegnet til stærkstrøms-DC-motorstyringer
• Ideel til switch-mode strømforsyninger og omformere
• Anvendes sammen med batteristyring og strømfordelingssystemer
• Kan bruges til industrielle invertertrin
• Velegnet til generel strømkobling på kort med gennemgående hul
• Ideel til switch-mode strømforsyninger og omformere
• Anvendes sammen med batteristyring og strømfordelingssystemer
• Kan bruges til industrielle invertertrin
• Velegnet til generel strømkobling på kort med gennemgående hul
Hvad er enhedens hus og monteringstype?
Den leveres i en TO-220-pakke og er beregnet til montering gennem hul.
Hvilke ekstreme driftstemperaturer kan den modstå?
Den er mærket til drift fra -40 °C op til 175 °C.
Hvordan håndterer enheden regulatoriske materialerestriktioner?
Den er i overensstemmelse med RoHS-standarder, der begrænser farlige stoffer.
Hvad er kanaltypen og ledningstilstanden?
Det er en N-kanal-enhed, der fungerer i forstærkning.
Hvad er grænserne for port- og afløbsspænding?
Porten er mærket til ±30 V, og drain-til-kilde maks. er 200 V.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 65 A 200 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon N-Kanal 65 A 200 V Forbedring TO-247, HEXFET
- Infineon N-Kanal 84 A 60 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon N-Kanal 169 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon N-Kanal 210 A 75 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon N-Kanal 35 A 150 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon N-Kanal 51 A 150 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon N-Kanal 190 A 40 V Forbedring TO-220, HEXFET