Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 65 A 200 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- RS-varenummer:
- 913-3932
- Producentens varenummer:
- IRFB4227PBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 315,05
(ekskl. moms)
Kr. 393,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 150 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 6,301 | Kr. 315,05 |
| 100 - 200 | Kr. 5,797 | Kr. 289,85 |
| 250 + | Kr. 5,483 | Kr. 274,15 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 913-3932
- Producentens varenummer:
- IRFB4227PBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 65A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 24mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 70nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 330W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 10.66mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 9.02mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 65A | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 24mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 70nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 330W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 10.66mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 9.02mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Motorstyring og AC-DC synkron ensretter MOSFET, Infineon
Motorstyring MOSFET
Infineon tilbyder et omfattende udvalg af robuste N-kanal og P-kanal MOSFET enheder til motorstyring.
Synkron ensretter MOSFET
Et udvalg af synkron ensretter MOSFET-enheder til AC-DC strømforsyninger understøtter kundens behov for højere effekttæthed, mindre størrelse, større bærbarhed og mere fleksible systemer.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 65 A 200 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 65 A 200 V Forbedring TO-247, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 26 A 200 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 56 A 200 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 18 A 200 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 25 A 200 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 200 A 40 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 9.3 A 200 V Forbedring TO-220, HEXFET