Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 130 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET Nej

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 50 enheder)*

Kr. 795,10

(ekskl. moms)

Kr. 993,90

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 150 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
50 - 50Kr. 15,902Kr. 795,10
100 - 200Kr. 13,041Kr. 652,05
250 +Kr. 12,245Kr. 612,25

*Vejledende pris

RS-varenummer:
913-3979
Producentens varenummer:
IRFB4310PBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

130A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Serie

HEXFET

Emballagetype

TO-220

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

7mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

170nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

300W

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

9.02mm

Bredde

4.82 mm

Længde

10.66mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
MX

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 130A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 300W maksimal effektafledning - IRFB4310PBF


Denne robuste og effektive effekttransistor er designet til højtydende anvendelser inden for automatisering, elektronik og den elektriske industri. N-kanal-teknologien giver fordele inden for strømstyring og skiftefunktioner. Driftstemperaturområdet på -55 °C til +175 °C øger dens alsidighed og pålidelighed i forskellige miljøer.

Egenskaber og fordele


• Understøtter op til 130A kontinuerlig afløbsstrøm til store belastningskrav

• Fungerer med en maksimal spænding på 100 V for forbedret anvendelighed

• Lav RDS(on) på 7 mΩ minimerer strømtab

• Har forbedret driftstilstand for at øge effektiviteten

• Integreret robusthed med lavine- og dynamisk dV/dt-kapacitet

• Fuldt karakteriseret kapacitans til præcis optimering af ydeevnen

Anvendelsesområder


• Anvendes i højeffektive synkrone ensretningssystemer

• Anvendes i uafbrydelige strømforsyninger til pålidelig energibackup

• Velegnet til højhastighedsstrømkredsløb

• Designet til hard-switched og højfrekvens

Hvordan påvirker den lave RDS(on) effektiviteten?


Den lave RDS(on) reducerer varmeudviklingen under drift, hvilket fører til forbedret effektivitet i strømforsyningen.

Hvad er betydningen af lavinekapaciteten?


Lavinefunktionen beskytter enheden mod for høje spændingsspidser, hvilket fremmer en stabil ydeevne under udfordrende forhold.

Kan denne enhed bruges i højfrekvente applikationer?


Ja, denne MOSFET er designet til højfrekvente kredsløb, hvilket gør den velegnet til forskellige avancerede anvendelser.

Hvad er den maksimale strøm, den kan klare ved høje temperaturer?


Ved en kabinetemperatur på 100 °C kan den maksimale kontinuerlige afløbsstrøm nå 92 A, hvilket sikrer pålidelig ydeevne.

Hvordan skal den monteres for at yde optimalt?


Det anbefales at montere enheden på en flad, smurt overflade for at maksimere varmeoverførslen til kølelegemet.

Relaterede links