Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 30 A 200 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, IRFP250 Nej
- RS-varenummer:
- 919-0032
- Producentens varenummer:
- IRFP250PBF
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 25 enheder)*
Kr. 453,60
(ekskl. moms)
Kr. 567,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 1.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | Kr. 18,144 | Kr. 453,60 |
| 50 - 100 | Kr. 17,782 | Kr. 444,55 |
| 125 + | Kr. 16,875 | Kr. 421,88 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 919-0032
- Producentens varenummer:
- IRFP250PBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 30A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Serie | IRFP250 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 85mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 140nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 190W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 15.87mm | |
| Højde | 20.7mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 5.31 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 30A | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Serie IRFP250 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 85mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 140nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 190W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 15.87mm | ||
Højde 20.7mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 5.31 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MOSFET, 200 V til 250 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 30 A 200 V Forbedring TO-247, IRFP250 Nej IRFP250PBF
- Infineon Type N-Kanal 30 A 200 V Forbedring TO-247, HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 30 A 200 V Forbedring TO-247, HEXFET Nej IRFP250MPBF
- Infineon Type N-Kanal 30 A 200 V Forbedring TO-247, HEXFET Nej IRFP250NPBF
- Vishay Type N-Kanal 46 A 200 V Forbedring TO-247, IRFP260 Nej IRFP260PBF
- IXYS Type N-Kanal 74 A 200 V Forbedring TO-247 Nej
- IXYS Type N-Kanal 96 A 200 V Forbedring TO-247 Nej
- IXYS Type N-Kanal 70 A 200 V Forbedring TO-247 Nej
