Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 74 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- RS-varenummer:
- 919-4772
- Producentens varenummer:
- IRF4905PBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 453,30
(ekskl. moms)
Kr. 566,60
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 300 enhed(er) afsendes fra 26. januar 2026
- Plus 650 enhed(er) afsendes fra 02. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 9,066 | Kr. 453,30 |
| 100 - 200 | Kr. 8,614 | Kr. 430,70 |
| 250 - 450 | Kr. 8,25 | Kr. 412,50 |
| 500 - 950 | Kr. 7,707 | Kr. 385,35 |
| 1000 + | Kr. 7,253 | Kr. 362,65 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 919-4772
- Producentens varenummer:
- IRF4905PBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 74A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 55V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 20mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 180nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 200W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.6V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 10.54mm | |
| Bredde | 4.69 mm | |
| Højde | 8.77mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 74A | ||
Drain source spænding maks. Vds 55V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 20mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 180nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 200W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.6V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 10.54mm | ||
Bredde 4.69 mm | ||
Højde 8.77mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 74A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 200W maksimal effektafledning - IRF4905PBF
Denne MOSFET giver en alsidig løsning til strømstyring på tværs af forskellige industrielle applikationer. Den er designet med henblik på høj effektivitet og pålidelighed, hvilket gør den uundværlig for fagfolk inden for elektronik- og el-sektoren. Med sine robuste egenskaber forbedrer dette produkt kredsløbsdesignet og sikrer optimal drift i udfordrende miljøer.
Egenskaber og fordele
• Høj kontinuerlig afløbsstrøm på 74A understøtter krævende anvendelser
• Maksimal drain-source-spænding på 55 V muliggør effektiv strømstyring
• Lav tændingsmodstand på 20mΩ forbedrer energieffektiviteten
• Designet som en enhancement mode MOSFET for præcis kontrol
• Bruger en TO-220AB-pakke til nem montering og integration
Anvendelsesområder
• Bruges i DC-DC-konvertere til effektiv strømkonvertering
• Ideel til motorstyring der kræver betydelig løbende styring
• Anvendes i strømforsyninger til strømlinet drift
• Velegnet til varmestyring i miljøer med høj belastning
• Bruges i automatiseringssystemer til pålidelig omskiftning
Hvordan gavner den lave on-modstand kredsløbsdesignet?
Den reducerede on-modstand minimerer effekttab under drift, hvilket forbedrer den samlede energieffektivitet og ydeevne, som er afgørende i applikationer med høj strøm.
Hvad er betydningen af at bruge en TO-220AB-pakke?
TO-220AB-pakken giver mulighed for effektiv varmeafledning, samtidig med at den er nem at installere, hvilket gør den til et foretrukket valg i industrielle applikationer.
Kan denne komponent klare miljøer med høje temperaturer?
Ja, den fungerer effektivt ved temperaturer op til +175 °C og er velegnet til krævende opgaver.
Hvilken slags applikationer kræver denne MOSFET's høje kontinuerlige afløbsstrøm?
Den høje kontinuerlige dræningsstrøm er velegnet til applikationer som motordrev, strømomformere og andre systemer, der kræver robust strømhåndtering.
Hvordan påvirker gate-tærskelspændingen dens ydeevne?
En gate-tærskelspænding fra 2V til 4V sikrer pålidelig skifteadfærd, hvilket bidrager til præcis styring i forskellige elektroniske kredsløb.
Relaterede links
- Infineon Type P-Kanal 74 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET Nej IRF4905PBF
- Infineon Type P-Kanal 74 A 55 V Forbedring TO-262, HEXFET Nej
- Infineon Type P-Kanal 74 A 55 V Forbedring TO-262, HEXFET Nej IRF4905LPBF
- Infineon Type P-Kanal 31 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET Nej
- Infineon Type P-Kanal 19 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET Nej
- Infineon Type P-Kanal 12 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET Nej
- Infineon Type P-Kanal 12 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET Nej IRF9Z24NPBF
- Infineon Type P-Kanal 31 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET Nej IRF5305PBF
