Infineon P-Kanal, MOSFET, 74 A 55 V, 3 ben, TO-220AB, HEXFET IRF4905PBF

RS-varenummer:: 919-4772
Producentens varenummer:: IRF4905PBF
Brand:: Infineon

Infineon P-Kanal, MOSFET, 74 A 55 V, 3 ben, TO-220AB, HEXFET IRF4905PBF

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 50 enheder)**

Kr. 533,60

(ekskl. moms)

Kr. 667,00

(inkl. moms)

Udgået fra lager - restordre leveres når lager er tilgængeligt*

* Leveringsdatoer afhænger af den valgte mængde og leveringsadressen.

GRATIS levering for onlineordrer over kr 500,00

Enheder	Pr stk.	Pr rør**
50 - 50	Kr. 10,672	Kr. 533,60
100 - 200	Kr. 10,139	Kr. 506,95
250 - 450	Kr. 9,711	Kr. 485,55
500 - 950	Kr. 9,072	Kr. 453,60
1000 +	Kr. 8,537	Kr. 426,85

**Vejledende pris

RS-varenummer:: 919-4772
Producentens varenummer:: IRF4905PBF
Brand:: Infineon

Log ind for at downloade CAD-modeller

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 74A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 200W maksimal effektafledning - IRF4905PBF

Denne MOSFET giver en alsidig løsning til strømstyring på tværs af forskellige industrielle applikationer. Den er designet med henblik på høj effektivitet og pålidelighed, hvilket gør den uundværlig for fagfolk inden for elektronik- og el-sektoren. Med sine robuste egenskaber forbedrer dette produkt kredsløbsdesignet og sikrer optimal drift i udfordrende miljøer.

Egenskaber og fordele

• Høj kontinuerlig afløbsstrøm på 74A understøtter krævende anvendelser
• Maksimal drain-source-spænding på 55 V muliggør effektiv strømstyring
• Lav tændingsmodstand på 20mΩ forbedrer energieffektiviteten
• Designet som en enhancement mode MOSFET for præcis kontrol
• Bruger en TO-220AB-pakke til nem montering og integration

Anvendelsesområder

• Bruges i DC-DC-konvertere til effektiv strømkonvertering
• Ideel til motorstyring der kræver betydelig løbende styring
• Anvendes i strømforsyninger til strømlinet drift
• Velegnet til varmestyring i miljøer med høj belastning
• Bruges i automatiseringssystemer til pålidelig omskiftning

Hvordan gavner den lave on-modstand kredsløbsdesignet?

Den reducerede on-modstand minimerer effekttab under drift, hvilket forbedrer den samlede energieffektivitet og ydeevne, som er afgørende i applikationer med høj strøm.

Hvad er betydningen af at bruge en TO-220AB-pakke?

TO-220AB-pakken giver mulighed for effektiv varmeafledning, samtidig med at den er nem at installere, hvilket gør den til et foretrukket valg i industrielle applikationer.

Kan denne komponent klare miljøer med høje temperaturer?

Ja, den fungerer effektivt ved temperaturer op til +175 °C og er velegnet til krævende opgaver.

Hvilken slags applikationer kræver denne MOSFET's høje kontinuerlige afløbsstrøm?

Den høje kontinuerlige dræningsstrøm er velegnet til applikationer som motordrev, strømomformere og andre systemer, der kræver robust strømhåndtering.

Hvordan påvirker gate-tærskelspændingen dens ydeevne?

En gate-tærskelspænding fra 2V til 4V sikrer pålidelig skifteadfærd, hvilket bidrager til præcis styring i forskellige elektroniske kredsløb.

MOSFET-transistorer, Infineon

Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Attribute	Value
Kanaltype	P
Drain-strøm kontinuerlig maks.	74 A
Drain source spænding maks.	55 V
Kapslingstype	TO-220AB
Serie	HEXFET
Monteringstype	Hulmontering
Benantal	3
Drain source modstand maks.	20 mΩ
Kanalform	Enhancement
Maks. tærskelspænding for port	4V
Mindste tærskelspænding for port	2V
Effektafsættelse maks.	200 W
Transistorkonfiguration	Enkelt
Gate source spænding maks.	-20 V, +20 V
Gate-ladning ved Vgs typisk	180 nC ved 10 V
Antal elementer per chip	1
Transistormateriale	Si
Driftstemperatur maks.	+175 °C
Højde	8.77mm
Driftstemperatur min.	-55 °C