Infineon N-Kanal, MOSFET, 10 A 100 V, 3 ben, TO-220AB, LogicFET IRL520NPBF
- RS-varenummer:
- 919-4870
- Producentens varenummer:
- IRL520NPBF
- Brand:
- Infineon
Ikke tilgængelig
RS lagerfører ikke længere dette produkt
- RS-varenummer:
- 919-4870
- Producentens varenummer:
- IRL520NPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 10 A | |
| Drain source spænding maks. | 100 V | |
| Serie | LogicFET | |
| Kapslingstype | TO-220AB | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. | 180 mΩ | |
| Kanalform | Enhancement | |
| Maks. tærskelspænding for port | 2V | |
| Mindste tærskelspænding for port | 1V | |
| Effektafsættelse maks. | 48 W | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Gate source spænding maks. | -16 V, +16 V | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Gate-ladning ved Vgs typisk | 20 nC ved 5 V | |
| Driftstemperatur maks. | +175 °C | |
| Transistormateriale | Si | |
| Højde | 8.77mm | |
| Driftstemperatur min. | -55 °C | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. 10 A | ||
Drain source spænding maks. 100 V | ||
Serie LogicFET | ||
Kapslingstype TO-220AB | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. 180 mΩ | ||
Kanalform Enhancement | ||
Maks. tærskelspænding for port 2V | ||
Mindste tærskelspænding for port 1V | ||
Effektafsættelse maks. 48 W | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Gate source spænding maks. -16 V, +16 V | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Gate-ladning ved Vgs typisk 20 nC ved 5 V | ||
Driftstemperatur maks. +175 °C | ||
Transistormateriale Si | ||
Højde 8.77mm | ||
Driftstemperatur min. -55 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon LogicFET Series MOSFET, 10A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 48W maksimal effektafledning - IRL520NPBF
Denne MOSFET er designet til forskellige applikationer med høj effekt. Dens N-kanal-konfiguration og mulighed for enhancement mode gør den velegnet til switching- og forstærkningsopgaver i automations- og elektronikbranchen. Med en maksimal kontinuerlig drain-strøm på 10 A og en maksimal drain-source-spænding på 100 V giver den en ensartet ydelse i krævende miljøer. TO-220AB-pakken muliggør effektiv varmestyring i forskellige monteringssituationer.
Egenskaber og fordele
• Høj effektafledningskapacitet på 48W for robust ydeevne
• Lav drain-source modstand på 180mΩ forbedrer effektiviteten
• Bredt driftstemperaturområde fra -55 °C til +175 °C sikrer pålidelighed
• Velegnet til montering gennem huller, hvilket gør det nemt at integrere
• Forbedret gate-tærskelspænding mellem 1V og 2V optimerer kontrollen
• Konfiguration med én transistor forenkler design og montering
Anvendelsesområder
• Bruges i strømforsyningskredsløb til effektiv spændingsregulering
• Anvendes i motorstyringssystemer på grund af sin høje strømkapacitet
• Anvendes i industriel automatisering til effektiv omskiftning
• Integreret i strømstyringsløsninger til energieffektive designs
Hvilken type kølemetode anbefales for at opnå optimal ydelse?
Effektiv afkøling er afgørende for at opretholde driftseffektiviteten og forhindre overophedning, især under høj belastning.
Kan den udskiftes direkte med andre MOSFET'er?
Selv om direkte udskiftninger kan være mulige, er det vigtigt at overveje specifikationer som strøm- og spændingsværdier samt krav til gate-drev for at sikre kompatibilitet og funktionalitet.
Hvad er den anbefalede maksimale gate-source-spænding?
Den maksimale gate-source-spænding bør ikke overstige -16V til +16V for at undgå skader på enheden og sikre pålidelig drift.
Hvordan skal jeg håndtere denne MOSFET under installationen?
Brug forholdsregler mod elektrostatisk afladning (ESD) og sørg for sikre forbindelser for at forhindre fejl eller intermitterende drift, når de er installeret i et kredsløb.
Er den egnet til højfrekvente anvendelser?
Denne MOSFET er velegnet til switching-applikationer, men man skal være opmærksom på gate-drive-hastighed og belastningsforhold for at undgå forringelse af ydeevnen ved højere frekvenser.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 10 A 100 V Forbedring TO-220, LogicFET Nej IRL520NPBF
- Infineon N-Kanal 104 A 55 V TO-220AB, LogicFET IRL2505PBF
- Infineon Type N-Kanal 140 A 30 V Forbedring JEDEC TO-220AB, LogicFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 140 A 30 V Forbedring JEDEC TO-220AB, LogicFET Nej IRL3803PBF
- Infineon Type N-Kanal 104 A 55 V Forbedring JEDEC TO-220AB, LogicFET Nej IRL2505PBF
- Infineon Type N-Kanal 17 A 100 V Forbedring TO-220, LogicFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 17 A 100 V Forbedring TO-220, LogicFET Nej IRL530NPBF
- Infineon Type N-Kanal 130 A 40 V Forbedring TO-220, LogicFET Nej
