Infineon EB2ED24103D1BCDPTOBO1 EB 2ED2410 3D 1BCDP MOSFET gate-driver til Gate Driver, Power MOSFET til 2ED2410-EM 24 V

Dette datterkort tilhører en familie af evalueringskort, der kan kombineres med 2ED2410-EM 24 V evalueringskortet (EB 2ED2410 3M). Disse datterkort bruges til at adressere forskellige MOSFET'er og shunt-arrangementer, der typisk findes i moderne strømfordelinger i biler til 12 og 24 V kortnet.

Dette datterkort EB 2ED2410 3D 1BCDP adresserer én belastningskanal og består af to 60 V OptiMOSTM5 effekt MOSFET'er (1,1 mOhm) i en back2back fælles drænkonfiguration. Desuden kan belastningen forudlades med en dedikeret forudladningsvej.

•EB 2ED2410 3D 1BCS: 60 V OptiMOSTM5 effekt MOSFET (1,1 mOhm), back2back - fælles kilde, 0,5 mOhm shunt
•EB 2ED2410 3D 1BCD: 60 V OptiMOSTM5 effekt MOSFET (1,1 mOhm), back2back - fælles dræn, 0,5 mOhm shunt
•EB 2ED2410 3D 1BCSP: 60 V OptiMOSTM5 effekt MOSFET (1,1 mOhm), back2back - fælles kilde, 0,5 mOhm shunt, med forudopladning

•Velegnet til 12- og 24-volts brætnet
•Kombination med 2ED2410-EM 24 V evaluering bundkort (EB 2ED2410 3M)
•0,5 mOhm afbrydermodstand
•60 V OptiMOSTM5 strøm MOSFET (1,1 Ohm) egnet til 12 og 24 V netværk
•MOSFET temperaturovervågning med NTC-modstande
•Dedikeret forudgående opladningssti til belastninger med høj indgangskapacitet
•Nominel strøm op til 20 A kontinuerligt eller 30 A i 10 minutter