Infineon EB2ED24103MTOBO1 EBB 2ED2410 3M MOSFET til Gate Driver, Power MOSFET til Justerbar trådbeskyttelse
- RS-varenummer:
- 273-2062
- Producentens varenummer:
- EB2ED24103MTOBO1
- Fabrikant:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 551,94
(ekskl. moms)
Kr. 689,92
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 2 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 4 | Kr. 551,94 |
| 5 - 9 | Kr. 524,35 |
| 10 + | Kr. 510,44 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 273-2062
- Producentens varenummer:
- EB2ED24103MTOBO1
- Fabrikant:
- Infineon
Egenskaber
RS Components Datablade
Legislation and Compliance
Produktdetaljer
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | Gate-driver-modul | |
| Strømstyringsfunktion | MOSFET | |
| Til brug sammen med | Justerbar trådbeskyttelse | |
| Sætklassifikation | Evalueringskort | |
| Fremhævet enhed | Gate Driver, Power MOSFET | |
| Sætnavn | EBB 2ED2410 3M | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype Gate-driver-modul | ||
Strømstyringsfunktion MOSFET | ||
Til brug sammen med Justerbar trådbeskyttelse | ||
Sætklassifikation Evalueringskort | ||
Fremhævet enhed Gate Driver, Power MOSFET | ||
Sætnavn EBB 2ED2410 3M | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
273-2062
Dette evalueringskort indeholder ISO26262-klar 2ED2410-EM MOSFET gate driver med justerbar I-t ledningsbeskyttelse til strømfordeling i biler med justerbar I-t ledningsbeskyttelse. Dette kort er velegnet til 12 V og 24 V kortnet og indeholder OPTIREGTM TLE4296GV50 spændingsregulator med lavt fald til at levere 5 V digital forsyningsspænding på dette kort. Ved hjælp af en trykknap kan gate-driveren nulstilles, f.eks. fra en \"Safestate\" tilstand tilbage til \"Ikke-tilstand\" eller \"Tænd\" tilstand. Dette kort kan bruges sammen med forskellige datterkort, som har forskellige OptiMOSTM5-effekt-MOSFET-arrangementer med og uden en dedikeret forudladningssti beregnet til én belastningskanal:
•EB 2ED2410 3D 1BCS: 60 V OptiMOSTM5 effekt MOSFET (1,1 mOhm), back2back - fælles kilde, 0,5 mOhm shunt
•EB 2ED2410 3D 1BCD: 60 V OptiMOSTM5 effekt MOSFET (1,1 mOhm), back2back - fælles dræn, 0,5 mOhm shunt
•EB 2ED2410 3D 1BCSP: 60 V OptiMOSTM5 effekt MOSFET (1,1 mOhm), back2back - fælles kilde, 0,5 mOhm shunt, med forudopladning
•EB 2ED2410 3D 1BCDP: 60 V OptiMOSTM5 effekt MOSFET (1,1 mOhm), back2back - fælles dræn, 0,5 mOhm shunt, med forudopladning
Oversigt over funktioner
•Velegnet til 12- og 24-volts brætnet
•Kombination med forskellige MOSFET'er plus shunt-datterkort
•Understøttelse af datterkort med dedikeret sti til forudopladning
•Overstrømsbeskyttelse med justerbare tærskler
•Justerbar I-t-kabelbeskyttelse
•Indikatorlysdioder
•Mulighed for RESET
Relaterede links
- Infineon EB2ED24103D1BCSPTOBO1 EB 2ED2410 3D 1BCSP MOSFET gate-driver til Gate Driver, Power MOSFET til 2ED2410-EM 24 V
- Infineon EB2ED24103D1BCSTOBO1 EB 2ED2410 3D 1BCS MOSFET gate-driver til Gate Driver, Power MOSFET til 2ED2410-EM 24 V
- Infineon EB2ED24103D1BCDPTOBO1 EB 2ED2410 3D 1BCDP MOSFET gate-driver til Gate Driver, Power MOSFET til 2ED2410-EM 24 V
- Infineon EB2ED24103D1BCDTOBO1 EB 2ED2410 3D 1BCD MOSFET gate-driver til Gate Driver, Power MOSFET til
- ROHM BM60212FV-EVK001 Gate Driver BM60212FV-C Evaluation Board BM60212FV-EVK001 MOSFET gate-driver til MOSFET til
- Microchip 2ASC-17A1HP High Performance SiC Gate Driver Core MOSFET gate-driver til 2-Channel Gate Driver Core til
- Microchip 2ASC-12A1HP High Performance SiC Gate Driver Core MOSFET gate-driver til 2-Channel Gate Driver Core til
- ROHM BM61M41RFV-EVK002 Gate Driver BM61M41RFV-C Evaluation Board BM61M41RFV-EVK002 MOSFET gate-driver til MOSFET til Si
