Infineon EB2ED24103D1BCSTOBO1 EB 2ED2410 3D 1BCS MOSFET til Power MOSFET, Gate Driver til 2ED2410-EM 24 V Evaluering af
- RS-varenummer:
- 273-2061
- Producentens varenummer:
- EB2ED24103D1BCSTOBO1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 664,50
(ekskl. moms)
Kr. 830,62
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 2 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 1 | Kr. 664,50 |
| 2 - 4 | Kr. 631,24 |
| 5 + | Kr. 614,41 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 273-2061
- Producentens varenummer:
- EB2ED24103D1BCSTOBO1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Strømstyringsfunktion | MOSFET | |
| Produkttype | Gate-driver-modul | |
| Til brug sammen med | 2ED2410-EM 24 V Evaluering af bundkort | |
| Sætklassifikation | Evalueringskort | |
| Fremhævet enhed | Power MOSFET, Gate Driver | |
| Sætnavn | EB 2ED2410 3D 1BCS | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Strømstyringsfunktion MOSFET | ||
Produkttype Gate-driver-modul | ||
Til brug sammen med 2ED2410-EM 24 V Evaluering af bundkort | ||
Sætklassifikation Evalueringskort | ||
Fremhævet enhed Power MOSFET, Gate Driver | ||
Sætnavn EB 2ED2410 3D 1BCS | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
EiceDRIVERTM APD 2ED2410-EM - 24 V evaluerings-MOSFET-datterkort, fælles kilde
Dette datterkort tilhører en familie af evalueringskort, der kan kombineres med 2ED2410-EM 24 V evalueringskortet (EB 2ED2410 3M). Disse datterkort bruges til at adressere forskellige MOSFET'er og shunt-arrangementer, der typisk findes i moderne strømfordelinger i biler til 12 og 24 V kortnet.
Dette datterkort EB 2ED2410 3D 1BCS adresserer én belastningskanal og består af to 60 V OptiMOSTM5 effekt MOSFET'er (1,1 mOhm) i en back2back fælles kildekonfiguration.
Følgende andre datterkort er tilgængelige:
•EB 2ED2410 3D 1BCD: 60 V OptiMOSTM5 effekt MOSFET (1,1 mOhm), back2back - fælles dræn, 0,5 mOhm shunt
•EB 2ED2410 3D 1BCDP: 60 V OptiMOSTM5 effekt MOSFET (1,1 mOhm), back2back - fælles dræn, 0,5 mOhm shunt, med forudopladning
•EB 2ED2410 3D 1BCSP: 60 V OptiMOSTM5 effekt MOSFET (1,1 mOhm), back2back - fælles kilde, 0,5 mOhm shunt, med forudopladning
Oversigt over funktioner
•Velegnet til 12- og 24-volts brætnet
•Kombination med 2ED2410-EM 24 V evaluering bundkort (EB 2ED2410 3M)
•0,5 mOhm shuntmodstand
•60 V OptiMOSTM5 strøm MOSFET (1,1 Ohm) egnet til 12 og 24 V netværk
•MOSFET temperaturovervågning med NTC-modstande
•Nominel strøm op til 20 A kontinuerligt eller 30 A i 10 minutter
Relaterede links
- Infineon EB2ED24103D1BCSPTOBO1 EB 2ED2410 3D 1BCSP MOSFET gate-driver til Gate Driver, Power MOSFET til 2ED2410-EM 24 V
- Infineon EB2ED24103D1BCDPTOBO1 EB 2ED2410 3D 1BCDP MOSFET gate-driver til Gate Driver, Power MOSFET til 2ED2410-EM 24 V
- Infineon EB2ED24103D1BCDTOBO1 EB 2ED2410 3D 1BCD MOSFET gate-driver til Gate Driver, Power MOSFET til
- Infineon EB2ED24103MTOBO1 EB 2ED2410 3M MOSFET gate-driver til Gate Driver, Power MOSFET til Justerbar trådbeskyttelse
- ROHM BM60212FV-EVK001 Gate Driver BM60212FV-C Evaluation Board BM60212FV-EVK001 MOSFET gate-driver til MOSFET til
- Microchip 2ASC-17A1HP High Performance SiC Gate Driver Core MOSFET gate-driver til 2-Channel Gate Driver Core til
- Microchip 2ASC-12A1HP High Performance SiC Gate Driver Core MOSFET gate-driver til 2-Channel Gate Driver Core til
- ROHM BM61M41RFV-EVK002 Gate Driver BM61M41RFV-C Evaluation Board BM61M41RFV-EVK002 MOSFET gate-driver til MOSFET til Si
