Infineon EB2ED24103D1BCSPTOBO1 EB 2ED2410 3D 1BCSP MOSFET til Power MOSFET, Gate Driver til 2ED2410-EM 24 V Evaluering

Se kategorien
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 766,74

(ekskl. moms)

Kr. 958,42

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 2 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 1Kr. 766,74
2 - 4Kr. 728,40
5 +Kr. 708,95

*Vejledende pris

RS-varenummer:
273-2060
Producentens varenummer:
EB2ED24103D1BCSPTOBO1
Fabrikant:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

Gate-driver-modul

Strømstyringsfunktion

MOSFET

Til brug sammen med

2ED2410-EM 24 V Evaluering af bundkort

Sætklassifikation

Evalueringskort

Fremhævet enhed

Power MOSFET, Gate Driver

Sætnavn

EB 2ED2410 3D 1BCSP

Standarder/godkendelser

RoHS

EiceDRIVERTM APD 2ED2410-EM - 24 V evaluerings-MOSFET-datterkort, fælles kilde, forudopladning


Dette datterkort tilhører en familie af evalueringskort, der kan kombineres med 2ED2410-EM 24 V evalueringskortet (EB 2ED2410 3M). Disse datterkort bruges til at adressere forskellige MOSFET'er og shunt-arrangementer, der typisk findes i moderne strømfordelinger i biler til 12 og 24 V kortnet.

Dette datterkort EB 2ED2410 3D 1BCDP adresserer én belastningskanal og består af to 60 V OptiMOSTM5 effekt MOSFET'er (1,1 mOhm) i en back2back fælles kildekonfiguration. Desuden kan belastningen forudlades med en dedikeret forudladningsvej.

Følgende andre datterkort er tilgængelige:


•EB 2ED2410 3D 1BCS: 60 V OptiMOSTM5 effekt MOSFET (1,1 mOhm), back2back - fælles kilde, 0,5 mOhm shunt

•EB 2ED2410 3D 1BCD: 60 V OptiMOSTM5 effekt MOSFET (1,1 mOhm), back2back - fælles dræn, 0,5 mOhm shunt

•EB 2ED2410 3D 1BCDP: 60 V OptiMOSTM5 effekt MOSFET (1,1 mOhm), back2back - fælles dræn, 0,5 mOhm shunt, med forudopladning

Oversigt over funktioner


•Velegnet til 12- og 24-volts brætnet

•Kombination med 2ED2410-EM 24 V evaluering bundkort (EB 2ED2410 3M)

•0,5 mOhm afbrydermodstand

•60 V OptiMOSTM5 strøm MOSFET (1,1 Ohm) egnet til 12 og 24 V netværk

•MOSFET temperaturovervågning med NTC-modstande

•Dedikeret forudgående opladningssti til belastninger med høj indgangskapacitet

•Nominel strøm op til 20 A kontinuerligt eller 30 A i 10 minutter

Relaterede links