STMicroelectronics AEC-Q101, IGBT Dobbelt port, 84 A 650 V, 7 Ben, HU3PAK 1 Overflade
- RS-varenummer:
- 285-638
- Producentens varenummer:
- STGHU30M65DF2AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 22,14
(ekskl. moms)
Kr. 27,68
(inkl. moms)
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 22,14 |
| 10 - 99 | Kr. 19,90 |
| 100 + | Kr. 18,92 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 285-638
- Producentens varenummer:
- STGHU30M65DF2AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic | 84A | |
| Produkttype | IGBT | |
| Kollektor emitter spænding maks. Vceo | 650V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 441W | |
| Antal transistorer | 1 | |
| Konfiguration | Dobbelt port | |
| Emballagetype | HU3PAK | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT | 2V | |
| Portsenderspænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 3.6mm | |
| Længde | 11.9mm | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic 84A | ||
Produkttype IGBT | ||
Kollektor emitter spænding maks. Vceo 650V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 441W | ||
Antal transistorer 1 | ||
Konfiguration Dobbelt port | ||
Emballagetype HU3PAK | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT 2V | ||
Portsenderspænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 3.6mm | ||
Længde 11.9mm | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Denne STMicroelectronics-enhed er en IGBT, der er udviklet ved hjælp af en avanceret proprietær trinchgate fieldtop-struktur. Enheden er en del af M-serien af IGBT'er, som repræsenterer en optimal balance mellem invertersystemets ydeevne og effektivitet, hvor lavt tab og kortslutningsfunktionalitet er afgørende. Desuden resulterer den positive VCE(sat) temperaturkoefficient og den stramme parameterfordeling i sikrere parallel drift.
Maksimal samlingstemperatur TJ = 175 °C
6 μs af minimums kortslutningsmodstandsdygtighed
Stram parameterfordeling
Sikrere parallellisering
Lav termisk modstand
Blød og meget hurtig genopretning af antiparallel diode
Fremragende skifteydelse takket være den ekstra kelvinstift